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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括元胞区和终端区，终端区环绕元胞区；漂移区，所述漂移区分布于元胞区和终端区；漂移区的背面设置有集电区，集电区包括多个从元胞区到终端区排布的集电子区，多个集电子区的掺杂浓度不同，并且越靠近终...
该专利属于比亚迪半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪半导体股份有限公司授权不得商用。

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