【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器领域,特别是涉及一种存储器故障测试电路及方法。
技术介绍
1、在各类存储器,例如动态随机存储器(dram)或者磁性随机存储器(mram)的生产中,需要对存储器进行测试,在测试存储器时,一般是先向存储器中输入测试数据,再从该存储器中读出存储数据,通过比较写入存储器的测试数据与读出的存储数据是否一直来判断存储器中是否存在异常的存储单元。
2、为了提高产品的良率,存储器的测试过程发现的故障存储单元需要被修复,从而保证存储器可以正常存储数据。为了实现测试过程中存储器的可修复,存储器测试机一般都需要配备fam(fail address memory,失效地址存储模块),也即现有技术中通常采用配备fam的存储器测试机对存储器进行测试。具体地,在将存储器中的存储数据与测试数据进行对比判断时,fam用于保存存储数据存在异常的存储单元的错误地址编码信息,从而使存储器测试机读取fam中保存的错误地址编码信息,以定位存储器中的异常存储单元,并对异常存储单元进行修复。
3、但是,由于配备fam的存储器测试机成本较高,
...【技术保护点】
1.一种存储器故障测试电路,其特征在于,包括测试机、错误地址保存电路、数据错误检测电路以及待测存储器;
2.如权利要求1所述的存储器故障测试电路,其特征在于,所述数据错误检测电路包括数据缓存电路和数据比较电路;所述数据缓存电路的数据输入端与所述测试机的数据输出端连接,数据输出端与所述数据比较电路的第一数据输入端连接;所述数据比较电路的第二数据输入端与所述待测存储器的数据输出端连接,输出端与所述错误地址保存电路的输入端连接;
3.如权利要求2所述的存储器故障测试电路,其特征在于,所述测试数据包括N个数据位;
4.如权利要求1所述的存储
...【技术特征摘要】
1.一种存储器故障测试电路,其特征在于,包括测试机、错误地址保存电路、数据错误检测电路以及待测存储器;
2.如权利要求1所述的存储器故障测试电路,其特征在于,所述数据错误检测电路包括数据缓存电路和数据比较电路;所述数据缓存电路的数据输入端与所述测试机的数据输出端连接,数据输出端与所述数据比较电路的第一数据输入端连接;所述数据比较电路的第二数据输入端与所述待测存储器的数据输出端连接,输出端与所述错误地址保存电路的输入端连接;
3.如权利要求2所述的存储器故障测试电路,其特征在于,所述测试数据包括n个数据位;
4.如权利要求1所述的存储器故障测试电路,其特征在于,所述测试机为ate测试机。
5.如权利要求1所述的存储器故障测试电路,其特征在于,所述测试机的数据输入端与所述待测存储器的数据输出端连接,还用于将所述待测存储器中各个存储单元存储的存储数据与所述测试数据分别进行对比,并将存储数据异常的存储单元的错误地址编码信息进行存储。
6.如权利要求5所述的存储器故障测试电路,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:王红杰,孙海军,
申请(专利权)人:浙江驰拓科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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