半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括衬底；栅极叠层结构，位于所述衬底上；源区，位于所述栅极叠层结构一侧的衬底内；第一介电层，覆盖所述衬底和所述栅极叠层结构；源区插塞，贯穿所述源区顶部的第一介电层且与所述源区相接触；第二介电层，位于所述第一介电层上且覆盖所述源区插塞；源区互连结构，位于所述源区插塞顶部的部分厚度的第二介电层中并与所述源区插塞相接触，所述源区互连结构与所述源区插塞构成源区导电连接结构。本发明专利技术技术方案能够提高所形成的半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、闪存(flash)是一种非挥发性存储器(non-volatile memory，nvm)。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。

2、根据结构不同，闪存可分为或非闪存(nor flash)和与非闪存(nand flash)两种。其中，nor flash，也称为编码型快闪记忆体。因为具备可直接执行代码、可靠性强、读取速度快等特性，从而成为闪存技术中主流的非易失性存储器。

3、但是，现有的或非闪存器件的性能仍有待提高。

技术实现思路

1、本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够提高非闪存器件的性能。

2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：

3、基底，所述基底包括衬底；

4、栅极叠层结构，位于所述衬底上；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源区插塞和所述源区互连结构分别为多个；

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源区互连结构为顶部插塞，且所述顶部插塞与所述源区插塞一一对应。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源区插塞的厚度为2800埃至3200埃，所述源区互连结构的厚度为2200埃至2800埃。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：刻蚀停止层，位于所述第一介电层与所述第二介电层之间。

6.根据权利要求1所述的半导体结构...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源区插塞和所述源区互连结构分别为多个；

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源区互连结构为顶部插塞，且所述顶部插塞与所述源区插塞一一对应。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源区插塞的厚度为2800埃至3200埃，所述源区互连结构的厚度为2200埃至2800埃。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：刻蚀停止层，位于所述第一介电层与所述第二介电层之间。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一互连结构，位于所述源区互连结构顶部的第二介电层中且与所述源区互连结构相接触。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一互连结构的顶部表面与所述第二介电层的顶部表面相齐平。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一互连结构为第一金属互连线。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极叠层结构包括悬浮栅层、位于所述悬浮栅层上的栅间介电层和位于栅间介电层上的控制栅层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：栅绝缘层，位于所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯振太，乔春羽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：