温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括衬底；栅极叠层结构，位于所述衬底上；源区，位于所述栅极叠层结构一侧的衬底内；第一介电层，覆盖所述衬底和所述栅极叠层结构；源区插塞，贯穿所述源区顶部的第一介电层且与所述源区相接...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。