半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：光刻形成贯穿第一介质层的沟槽，在沟槽内形成底层金属层；光刻形成贯穿第二介质层的开口，在开口内形成底层通孔；光刻形成贯穿底电极材料层、第二介质层和第一介质层的对准标记；其中光刻洗边参数满足底层金属层光刻洗边宽度>底层通孔光刻洗边宽度≥对准标记光刻洗边宽度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的制造方法。

技术介绍

1、在集成电路制造工艺中需要进行多次光刻步骤，光刻质量的好坏直接影响产品的合格率。一般的光刻工艺要经历晶圆表面清洗烘干、涂底、涂胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。在晶圆的涂胶过程中，由于旋转产生的离心力的作用，使得晶圆上的光刻胶逐渐向晶圆边缘(简称为晶边)散布，导致光刻胶累积在晶边形成突起残留，进而导致后续工艺的污染。为了去除累积于晶边的光刻胶残留，通常在涂胶工艺后加入洗边(edge bean removal，ebr)工艺。

2、但是光刻洗边不同层之间有偏差，即使相同洗边参数，晶圆内存在偏差以及大小边，这样导致相邻光罩层之间存在洗边台阶，这些台阶容易在后期高温作业中形成剥离缺陷。

3、例如mram工艺流程中，由于晶边光刻洗边影响，会使得洗边区域的底层金属图案暴露，由于底层金属存在大面积暴露区域，这样导致薄膜与基底之间黏附性不足，在高温工艺中会形成剥离缺陷，影响芯片良率。

技术实现思路>

1、有鉴于此本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述底层金属层上以及晶边洗边区域形成第二介质层之后，还包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第一次光刻洗边区域的宽度为1.8mm，第二次光刻洗边区域的宽度为1.6mm，第三次光刻洗边区域的宽度为1.4mm。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第一次光刻洗边区域的宽度为1.8mm，第二次光刻洗边区域的宽度为1.6mm，第三次光刻洗边区域的宽度为1.6mm。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，形成所述对准标记之后...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述底层金属层上以及晶边洗边区域形成第二介质层之后，还包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第一次光刻洗边区域的宽度为1.8mm，第二次光刻洗边区域的宽度为1.6mm，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨保林，苏显鹏，袁凯，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：