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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：光刻形成贯穿第一介质层的沟槽，在沟槽内形成底层金属层；光刻形成贯穿第二介质层的开口，在开口内形成底层通孔；光刻形成贯穿底电极材料层、第二介质层和第一介质层的对准标记；其中光刻洗边参数满足底层金属层光...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

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