膜层中的缝隙的检测方法技术

本发明专利技术提供一种膜层中的缝隙的检测方法。对第一晶片中的膜层进行：(a)进行扫描，以得到灰阶影像图；(b)对灰阶影像图进行区域定位处理，以界定出多个目标区以及位于每一个目标区中的缝隙区；(c)取得每一个缝隙区中的每一个像素的灰阶值，并计算缝隙区中灰阶值低于灰阶阈值的像素的数量；(d)根据每一个所述缝隙区中的所述数量产生像素数量阈值。对第二晶片中的膜层进行(a)至(c)，且将具有超过像素数量阈值的数量的缝隙区判定为缺陷区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种缺陷检测方法，且尤其涉及一种膜层中的缝隙的检测方法。

技术介绍

1、在半导体工艺中，欲在膜层中填入另一种材料时，通常是先于膜层中形成凹槽，然后将材料填入凹槽中。然而，在填入材料时，材料可能无法完全将沟槽填满而在所形成的材料层中产生缝隙。所述缝隙会对后续形成的半导体组件在电性上造成影响。

2、在目前的缝隙检测方法中，大多使用穿透式电子显微镜直接对膜层进行检测。如此一来，造成过多的晶片耗损以及耗费过多的检测时间。此外，由于穿透式电子显微镜检测的时间过长，因此必须将产线停止而导致产能降低。因此，如何有效地检测缝隙且不会过于耗时以及影响产能为目前重要的课题之一。

技术实现思路

1、本专利技术是针对一种膜层中的缝隙的检测方法，其可实时且快速地判定缝隙区是否为缺陷区。

2、根据本专利技术的实施例，膜层中的缝隙的检测方法包括以下步骤。对第一晶片中的膜层进行以下处理：(a)进行扫描，以得到灰阶影像图；(b)对灰阶影像图进行区域定位处理，以界定出多个目标区以及位于各目标区中的缝隙区；(本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种膜层中的缝隙的检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的膜层中的缝隙的检测方法，其特征在于，步骤(d)包括：

3.根据权利要求1所述的膜层中的缝隙的检测方法，其特征在于，在步骤(c)之后以及在步骤(d)之前，还包括：

4.根据权利要求3所述的膜层中的缝隙的检测方法，其特征在于，当所述缝隙信息与所述缝隙区相符时，执行步骤(d)。

5.根据权利要求3所述的膜层中的缝隙的检测方法，其特征在于，当所述缝隙信息与所述缝隙区不相符时，调整所述灰阶阈值，且计算每一个所述缝隙区中灰阶值低于所述调整后的灰阶阈值的像素的数量。

...

【技术特征摘要】

1.一种膜层中的缝隙的检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的膜层中的缝隙的检测方法，其特征在于，步骤(d)包括：

3.根据权利要求1所述的膜层中的缝隙的检测方法，其特征在于，在步骤(c)之后以及在步骤(d)之前，还包括：

4.根据权利要求3所述的膜层中的缝隙的检测方法，其特征在于，当所述缝隙信息与所述缝隙区相符时，执行步骤(d)。

5.根据权利要求3所述的膜层中的缝隙的检测方法，其特征在于，当所述缝隙信息与所述缝隙区不相符时，调整所述灰阶阈值，且计算每一个所述缝隙区中灰阶值低于所述调整后的灰阶阈值的像素的数量。

6.根据权利要求3所述的膜层中的缝隙的检测方...

【专利技术属性】
技术研发人员：江知优，詹启宏，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：