一种具有高响应速度和电压箝位功能的浪涌防护电路制造技术

技术编号:41863183 阅读:13 留言:0更新日期:2024-06-27 18:35
本发明专利技术公开了一种具有高响应速度和电压箝位功能的浪涌防护电路,被保护电路连接在电源端avdd与接地端avss之间,其包括快速启动电路、泄放电路和电压箝位电路,其中:快速启动电路包括第一电阻R1、第二PNP三极管Q2、第一正向二极管D1、第二正向二极管D2以及第一高压PMOS管PM1,泄放电路包括第一高压NMOS管NM1、第一高压NPN管Q1、第二电阻R2、第二高压PMOS管PM2、第三高压PMOS管PM3、第三电阻R3、第七二极管D7、第二高压NMOS管NM2、第四电阻R4以及第三高压NMOS管NM3,电压箝位电路包括第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5以及第六二极管D6。本发明专利技术可以有效减小二极管的尺寸,节省版图面积,并减少二极管的电容,有助于提高稳压功能的响应速度,实现更可靠的保护功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有源防护电路领域,具体而言,涉及一种具有高响应速度和电压箝位功能的浪涌防护电路


技术介绍

1、随着电子信息技术的发展,各种电子设备和系统的应用也越来越广泛。然而,随着电气和电子系统的复杂性不断增加,电路也面临着各种各样的电气干扰和过压问题,电路中针对浪涌等eos/esd电过应力事件的防护要求也越来越高,常见的eos/esd电过应力防护是使用无源单一器件实现保护功能,或是使用rc电路来进行电流泄放而不具有电压箝位功能,这些保护器件/电路响应速度较慢且功能较为单一,无法满足日益提升的电路防护要求。目前针对专门针对eos防护的有源电路研究较少,多数为设计具有良好eos防护性能的tvs器件,目前业内常用的正微分负阻tvs器件主要为二极管、肖特基二极管及齐纳二极管等,这类器件虽然具有良好的电压钳位功能,但eos电过应力防护鲁棒性较差,且不能进行主动调控,缺少可操控性。


技术实现思路

1、本专利技术提供一种具有高响应速度和电压箝位功能的浪涌防护电路,用以解决上述现有技术存在的技术问题。

2、为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有高响应速度和电压箝位功能的浪涌防护电路,被保护电路连接在电源端avdd与接地端avss之间,其特征在于,包括快速启动电路、泄放电路和电压箝位电路,其中:

2.根据权利要求1所述的具有高响应速度和电压箝位功能的浪涌防护电路,其特征在于,第一正向二极管D1、第二正向二极管D2为肖特基二极管。

3.根据权利要求1所述的具有高响应速度和电压箝位功能的浪涌防护电路,其特征在于,第三二极管D3 ~第七二极管D7为齐纳二极管。

【技术特征摘要】

1.一种具有高响应速度和电压箝位功能的浪涌防护电路,被保护电路连接在电源端avdd与接地端avss之间,其特征在于,包括快速启动电路、泄放电路和电压箝位电路,其中:

2.根据权利要求1所述的具有高响应速度和电压箝位...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨少军高东兴
申请(专利权)人:深圳市晶扬电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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