【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种外延生长方法及装置、计算机程序产品。
技术介绍
1、在单晶抛光晶圆上生长一层单晶薄膜称为外延晶圆。相比抛光晶圆，外延晶圆具有表面缺陷少、结晶性优异和电阻率可控的特性，被广泛用于高集成化的ic(integratedcircuit，集成电路)元件和mos(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)制程中。一般通过化学气相沉积法对晶圆进行外延生长，首先将晶圆传送至外延反应腔室承载晶圆的基座上，然后外延反应腔室升温，达到预设的温度后送入清洁气体(比如氢气)去除晶圆表面的自然氧化物，再送入硅源气体在晶圆正面连续均匀的生长外延层，外延层的厚度和电阻率对于后端制程至关重要。
2、图1为晶圆外延层的制备过程示意图。如图1所示，晶圆外延层制备主要分为2个阶段，第一阶段外延反应腔室自清洁，通入氢气和刻蚀气体(hcl)；第二阶段进行外延层生长，通入氢气、硅源气体(tcs)和掺杂气体(b2h6/h2)。第一阶段中，氢气作为主...
【技术保护点】
1.一种外延生长方法，其特征在于，应用于外延生长系统，包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述根据所述厚度测量值和/或所述电阻率测量值判断是否需要对所述外延生长系统的工艺参数进行调整包括以下至少一项：
3.根据权利要求2所述的外延生长方法，其特征在于，所述外延生长系统的工艺参数包括外延层成膜反应时间，根据所述厚度测量值计算所述外延生长系统的工艺参数目标值包括：
4.根据权利要求2所述的外延生长方法，其特征在于，所述外延生长系统的工艺参数包括掺杂气体流量，根据所述电阻率测量值计算所述外延生长系统的工艺参数目标值包
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【技术特征摘要】
1.一种外延生长方法，其特征在于，应用于外延生长系统，包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述根据所述厚度测量值和/或所述电阻率测量值判断是否需要对所述外延生长系统的工艺参数进行调整包括以下至少一项：
3.根据权利要求2所述的外延生长方法，其特征在于，所述外延生长系统的工艺参数包括外延层成膜反应时间，根据所述厚度测量值计算所述外延生长系统的工艺参数目标值包括：
4.根据权利要求2所述的外延生长方法，其特征在于，所述外延生长系统的工艺参数包括掺杂气体流量，根据所述电阻率测量值计算所述外延生长系统的工艺参数目标值包括：
5.根据权利要求2所述的外延生长方法，其特征在于，
6.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙毅，请求不公布姓名，韩喜盈，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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