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本发明提供了一种外延生长方法及装置、计算机程序产品，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长系统，包括：对样品晶圆进行测试，获得所述样品晶圆的外延层的厚度测量值和/或电阻率测量值；根据所述厚度测量值和/或所述电阻率测量值判断是否...
该专利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟材料科技股份有限公司授权不得商用。

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