CPU镀层的形成方法技术

本发明专利技术的CPU镀层的形成方法，包括：封装CPU并将所述CPU的待处理表面暴露；清洗所述待处理表面；以及在具有负压的真空腔室内对所述待处理表面进行镀膜形成镀层，所述镀层为SiO2、TiO2、Al2O3中的一种或多种。本发明专利技术在CPU的预定表面上形成具有散热性能的镀膜，从而防止CPU在运行时过热而影响工作性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机零部件制造领域，尤其涉及一种cpu镀层的形成方法。

技术介绍

1、cpu是计算机中的核心部分，也是电路板上的主体，随着不断地改进发展，其性能在不断的提升。cpu在体积如此小的状态下进行运算，必然会产生很大热量，如果不将热量及时地散出，其工作性能必将会受到影响，其使用寿命也会缩短。传统的散热方式主要是在其背面安装电扇，布满冷却管如cn201910932339.8，以及在背面粘贴散热片，如cn1372327a.但是，此种结构的cpu制造成本高，占用空间，且冷却效果不理想。。

2、因此，亟待提供一种cpu镀层的形成方法以克服以上缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种cpu镀层的形成方法，在cpu的预定表面上形成具有散热性能的镀膜，从而防止cpu在运行时过热而影响工作性能。

2、为实现上述目的，本专利技术cpu镀层的形成方法，包括：

3、封装cpu并将所述cpu的待处理表面暴露；

4、清洗所述待处理表面；以及>

5、在具有负本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CPU镀层的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的CPU镀层的形成方法，其特征在于：所述待处理表面通过等离子体进行清洗。

3.如权利要求1所述的CPU镀层的形成方法，其特征在于：所述真空腔室的所述负压为10-3至10-4Pa。

4.如权利要求1所述的CPU镀层的形成方法，其特征在于：对所述待处理表面进行镀膜的方式包括电子束蒸发、磁控溅射或原子层沉积。

5.如权利要求1所述的CPU镀层的形成方法，其特征在于：所述镀层在60-80℃温度下形成。

6.如权利要求1所述的CPU镀层的形成方法，其特征在于：所述镀层的...

【技术特征摘要】

1.一种cpu镀层的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的cpu镀层的形成方法，其特征在于：所述待处理表面通过等离子体进行清洗。

3.如权利要求1所述的cpu镀层的形成方法，其特征在于：所述真空腔室的所述负压为10-3至10-4pa。

4.如权利要求1所述的c...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨圣合，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：