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本发明的CPU镀层的形成方法,包括:封装CPU并将所述CPU的待处理表面暴露;清洗所述待处理表面;以及在具有负压的真空腔室内对所述待处理表面进行镀膜形成镀层,所述镀层为SiO2、TiO2、Al2O3中的一种或多种。本发明在CPU的预定表面上...该专利属于东莞新科技术研究开发有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东莞新科技术研究开发有限公司授权不得商用。
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