半导体CVD设备用高真空隔离传输阀制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体CVD设备用高真空隔离传输阀，涉及传输阀密封控制领域，解决了现有的真空隔离传输阀使用时阀板与腔体内壁之间间隙较大，密封性能较差的问题，包括腔体壁、阀板、驱动机构、密封机构和固定盒，驱动机构包括与升降板和推动件，密封机构包括四组密封板，腔体壁上开设有斜槽，此半导体CVD设备用高真空隔离传输阀，便于通过驱动机构控制升降板和推动件的运行，使得阀板先移动到腔体壁的开口处后沿水平方向插入到腔体壁的内壁进行封闭操作，使得阀板的移动轨迹呈L形，通过密封机构在阀板向腔体壁内部移动时联动密封板向四周张开，与斜槽位置形成阶梯状的抵触，增加阀板四周位置缝隙处的密封性，该装置生产成本低，密封性较好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传输阀密封控制，具体为一种半导体cvd设备用高真空隔离传输阀。

技术介绍

1、半导体领域在相邻腔室间的晶圆传输，需要采用阀装置进行腔室间的腔压转换。目前，实现腔室间真空转换大都采用的是单侧密封传输阀，进行相邻腔室间气压的密封和隔断，最后两侧气压一致，实现晶圆的传输。

2、现有的传输阀多采用直接贴合密封的方式，在密封时与腔室之间的密封性较差，阀板的四周在于腔体壁抵触时四周难以保证与腔体壁之间进行充分的抵触，仅通过密封圈的设置难以做到紧密的密封，使得设备在使用过程中泄漏率较高，从而影响传输过程中原料的稳定性。为此，提出一种半导体cvd设备用高真空隔离传输阀。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种便于提升传输阀阀板与腔体内壁之间密封性能的半导体cvd设备用高真空隔离传输阀，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：半导体cvd设备用高真空隔离传输阀，包括腔体壁、阀板、壳体、驱动机构、密封机构和固定盒，所述阀板能够与所述腔体壁相插本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.半导体CVD设备用高真空隔离传输阀，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体CVD设备用高真空隔离传输阀，其特征在于：所述驱动机构（4）包括固定安装于所述升降板（5）上侧的升降盒（10），所述升降盒（10）的内壁沿水平方向滑动连接有滑动板（11），所述滑动板（11）的侧面固定连接有与所述阀板（2）固定连接的连接板（12），所述推动件（6）用于通过气压控制所述升降盒（10）上移到设定位置后使得所述滑动板（11）在所述升降盒（10）内沿水平方向滑动。

3.根据权利要求2所述的半导体CVD设备用高真空隔离传输阀，其特征在于：所述推动件（6）包括固定安装于所...

【技术特征摘要】

1.半导体cvd设备用高真空隔离传输阀，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体cvd设备用高真空隔离传输阀，其特征在于：所述驱动机构（4）包括固定安装于所述升降板（5）上侧的升降盒（10），所述升降盒（10）的内壁沿水平方向滑动连接有滑动板（11），所述滑动板（11）的侧面固定连接有与所述阀板（2）固定连接的连接板（12），所述推动件（6）用于通过气压控制所述升降盒（10）上移到设定位置后使得所述滑动板（11）在所述升降盒（10）内沿水平方向滑动。

3.根据权利要求2所述的半导体cvd设备用高真空隔离传输阀，其特征在于：所述推动件（6）包括固定安装于所述滑动板（11）侧面的拉簧（13），所述拉簧（13）的一端与所述升降盒（10）固定连接，所述升降盒（10）和所述升降板（5）上均开设有与所述升降盒（10）内壁相连通的连通管（15），所述固定盒（3）上开设有能够与所述连通管（15）的底端相连通的第一弯管（16），所述固定盒（3）上设有用于对所述固定盒（3）内进行充气的充气件（17）。

4.根据权利要求2所述的半导体cvd设备用高真空隔离传输阀，其特征在于：所述密封机构（7）还包括四组安装于所述阀板（2）四个拐角位置的挡块（18），所述挡块（18）上开设有两组导向槽（19），所述密封板（8）的两端均固定连接有与所述导向槽（19）内壁滑动连接的导向块（20），所述密封板（8）上开设有与所述挡块（18）滑动连接的限位槽（38），所述连接板（12）上开设有四组分别于四组所述密封板（8）滑动连接的滑动槽（21），所述连接板（12）上设有用于通过所述升降盒（10）内的气体控制所述密封板（8）滑动状态的控制件（22）。

5.根据权利要求4所述的半导体cvd设备用高真空隔离传输阀，其特征在于：所述控制件（22）包...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎纠，段宇，孙志开，牛建新，
申请(专利权)人：帝京半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：