发光芯片及其制备方法、发光基板及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种发光芯片及其制备方法、发光基板及显示装置。所述发光芯片包括衬底、位于所述衬底上的第一电极、位于所述衬底上的第一发光层、位于所述第一发光层背离所述衬底一侧的导电连接层，位于所述导电连接层背离所述衬底一侧的第二发光层、位于所述第二发光层背离所述衬底一侧的第二电极、及位于所述第一发光层与所述第二发光层之间的辅助结构；所述辅助结构设有入光口和出光口，所述出光口在所述衬底上的正投影与所述第二发光层在所述衬底上的正投影无交叠；所述辅助结构被配置为使所述第一发光层发射的光线经所述入光口进入所述辅助结构后传播方向发生改变，并从所述出光口出射。发光基板包括发光芯片。显示装置包括发光基板。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，特别涉及一种发光芯片及其制备方法、发光基板及显示装置。

技术介绍

1、微型发光二极管，其尺寸大约小于500μm，由于其具有更小的尺寸和超高的亮度、寿命长等优势，因此在显示领域使用趋势明显增大。

技术实现思路

1、本申请提供了一种发光芯片及其制备方法、发光基板及显示装置。

2、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种发光芯片。所述发光芯片包括：

3、衬底；

4、第一电极，位于所述衬底上；

5、第一发光层，位于所述衬底上；

6、导电连接层，位于所述第一发光层背离所述衬底的一侧；

7、第二发光层，位于所述导电连接层背离所述衬底的一侧；

8、第二电极，位于所述第二发光层背离所述衬底的一侧；

9、辅助结构，位于所述第一发光层与所述第二发光层之间，所述辅助结构设有入光口和出光口，所述出光口在所述衬底上的正投影与所述第二发光层在所述衬底上的正投影无交叠；所述辅助结构被配置为使所述第一发光层发射的光线经所述入光口进入本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光芯片，其特征在于，所述发光芯片包括：

2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述辅助结构位于所述第一发光层与所述导电连接层之间，所述出光口在所述衬底上的正投影与所述导电连接层在所述衬底上的正投影无交叠。

3.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述辅助结构设有腔体，所述出光口及所述入光口均与所述腔体连通；所述腔体的内表面为反射面；所述辅助结构被配置为使所述第一发光层发射的光线由所述入光口进入所述腔体后，被所述腔体的内表面反射至所述出光口。

4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述腔体的内表面包括反射底面、位于所述反射...

【技术特征摘要】

1.一种发光芯片，其特征在于，所述发光芯片包括：

2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述辅助结构位于所述第一发光层与所述导电连接层之间，所述出光口在所述衬底上的正投影与所述导电连接层在所述衬底上的正投影无交叠。

3.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述辅助结构设有腔体，所述出光口及所述入光口均与所述腔体连通；所述腔体的内表面为反射面；所述辅助结构被配置为使所述第一发光层发射的光线由所述入光口进入所述腔体后，被所述腔体的内表面反射至所述出光口。

4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述腔体的内表面包括反射底面、位于所述反射底面背离所述衬底一侧的反射侧面、以及位于所述反射侧面背离所述衬底一侧的反射顶面；所述反射底面与所述反射侧面的一部分相连，所述入光口位于所述反射底面与所述反射侧面之间；所述反射顶面与所述反射侧面的一部分相连，所述出光口位于所述反射顶面与所述反射侧面之间；所述反射顶面向背离所述衬底的方向凸出；所述第一发光层包括发光区，所述发光区在所述衬底上的正投影与所述反射底面在所述衬底上的正投影无交叠。

5.根据权利要求4所述的发光芯片，其特征在于，所述出光口位于所述反射顶面的一侧，所述反射顶面朝向所述出光口的端部到所述衬底的距离大于所述反射顶面背离所述出光口的端部到所述衬底的距离。

6.根据权利要求5所述的发光芯片，其特征在于，所述反射顶面朝向所述出光口的端部与所述反射顶面背离所述出光口的端部之间的连线与所述衬底的表面之间的夹角的范围为12°～18°。

7.根据权利要求5所述的发光芯片，其特征在于，所述反射侧面包括第一反射面和第二反射面，所述第一反射面位于所述出光口的侧部，所述第二反射面与所述反射顶面相连；所述第一反射面背离所述衬底的端部到所述衬底的距离大于或等于所述反射顶面朝向所述出光口的端部到所述衬底的距离。

8.根据权利要求5所述的发光芯片，其特征在于，所述反射侧面包括第一反射面和第二反射面，所述第一反射面位于所述出光口的侧部，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王倩，王灿，王维，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：