【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、现有的一些芯片，例如直接接触式场效应晶体管，其源极和栅极位于芯片的正面，漏极位于芯片的背面。在将芯片连接到电路板上时，通常采用铜外壳将漏极引到芯片的正面，铜外壳的底壁通过导电胶与芯片的漏极电连接，铜外壳的侧面向芯片的正面一侧延伸，来将芯片的漏极引至芯片的正面一侧，从而便于芯片与电路板电连接。
2、采用上述的方案会出现铜外壳倾斜、芯片倾斜、铜外壳变形、导电胶用量不易控制等问题，而导致产品良率较低。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法。所述制造方法包括：
2、将多个芯片贴装在载板上，相邻所述芯片间隔设置；所述芯片包括芯片正面、与所述芯片正面相对的芯片背面、及连接所述芯片正面与所述芯片背面的多个芯片侧面，所述芯片包括设置在所述芯片正面的控制极和第一极、以及设置在所述芯片背面的第二极；
3、在相邻所述芯片之间的间隔内设置绝缘胶，并将预制的导电件设于相邻芯片之间的间隔，使...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在相邻芯片之间的间隔内设置绝缘胶，所述绝缘胶为非固化状态，并在所述绝缘胶为非固化状态时将预制的导电件设于相邻芯片之间的间隔之后，采用烘烤工艺，将所述绝缘胶固化形成位于所述芯片的侧面与所述预制的导电件之间的绝缘层。
4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二部朝向所述第一部的表面的至少部分区域设有粘结层；所述粘结层的材质为导
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在相邻芯片之间的间隔内设置绝缘胶，所述绝缘胶为非固化状态，并在所述绝缘胶为非固化状态时将预制的导电件设于相邻芯片之间的间隔之后，采用烘烤工艺，将所述绝缘胶固化形成位于所述芯片的侧面与所述预制的导电件之间的绝缘层。
4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二部朝向所述第一部的表面的至少部分区域设有粘结层；所述粘结层的材质为导电材质。
5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在对所述相邻芯片之间的间隔内的第一部进行切割，形成间隔设置的侧方导电部之后，所述制造方法还包括：
6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在去除所述载板，得到半导体结构之后，所述制造方法还包括：
7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在相邻芯片之间的间隔内设置绝缘胶，并将预制的导电件设于相邻芯片之间的间隔，使得所述绝缘...
【专利技术属性】
技术研发人员：程智超，郑明祥，
申请(专利权)人：华润润安科技重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。