【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、tsv是实现衬底内垂直电互连的重要技术。tsv不仅使芯片具有了纵向维度的集成能力，而且它具有最短的电传输路径以及优异的抗干扰性能，半导体器件的微型化越来越依赖于集成tsv的先进工艺。例如，在cmos图像传感器、高带宽存储器(hbm)以及硅转接板等器件的设计中，tsv已成为必不可少的电互连结构。
2、利用贯穿衬底的tsv，一些半导体器件将用于连接外部设备的金属垫(pad)设置于衬底的背面，通过tsv使所述金属垫与在衬底正面侧形成的导电结构连接，如此，金属垫不需要占用衬底正面面积，有助于器件的微型化，所述金属垫也可以作为三维堆叠芯片与外部设备的连接点。
3、为了节约工序以及成本，一种现有技术中，在衬底背面一侧形成tsv和直接覆盖tsv的金属垫，所述金属垫的边缘被钝化层覆盖。在进行相关测试(如wat(晶圆接受测试)或cp(晶圆阶段芯片测试))时，用于电连接所述金属垫的探针与所述金属垫接触，但是，研究发现，探针的压力会通过应力传导给金属垫下方的tsv，甚至探针...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述TSV与所述第二区域的所述金属垫直接接触，从而形成电连接。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属垫与垂向贯穿所述衬底的至少两个所述TSV电连接，各所述TSV在所述金属垫表面的正投影位于所述第二区域。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层包括氧化硅膜和氮化硅膜的叠层。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述tsv与所述第二区域的所述金属垫直接接触，从而形成电连接。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属垫与垂向贯穿所述衬底的至少两个所述tsv电连接，各所述tsv在所述金属垫表面的正投影位于所述第二区域。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层包括氧化硅膜和氮化硅膜的叠层。
...【专利技术属性】
技术研发人员：杨虎，周玉，胡胜，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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