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本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括衬底及形成于所述衬底的背面一侧的金属垫和钝化层，所述金属垫与垂向贯穿所述衬底的TSV电连接，所述钝化层中的开口暴露出所述金属垫的第一区域，所述金属垫具有包围所述第一区域的第二区域，所述第二区域被所...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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