ＣＭＯＳ图像传感器制造方法及ＣＭＯＳ图像传感器技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器制造方法，其后段工艺中对感光二极管上方的介质层进行光刻、刻蚀，停止在阻挡层上，刻蚀掉感光二极管上方的阻挡层之上的介质层，然后淀积一金属层，刻蚀掉阻挡层表面以及介质层顶部表面淀积的所述金属层，再淀积钝化层。本发明专利技术还公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器，在硅衬底之上为分布有感光二极管的感光层，感光层之上为一阻挡层，在阻挡层之上感光二极管对应的周边的介质层侧壁覆盖有一金属层，介质层顶部为钝化层，由阻挡层、介质层侧壁覆盖的金属层、钝化层构成一密闭空间。本发明专利技术能避免ＣＭＯＳ图像传感器的像素产生“光互扰”，提高像素的响应角度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺，特别涉及一种CMOS图像传感器制造方法及CMOS图像传 感器。
技术介绍
传统的CIS (CMOS Image Sensor, CMOS图像传感器)制造方法后段工艺如图1所 示，它的后段工艺过程如下 1.常规介质层(如PEOX(聚氧化乙烯)、HDP(高密度等离子体)、FSG(氟化玻璃) 等等，折射系数RI为1. 4 1. 5)CVD淀积和平坦化； 2.完成后续通孔及金属层工艺； 3.重复步骤1、步骤2直到除钝化层的所有介质及金属层工艺完成； 4. —致性CVD钝化层(Passivation); 5.完成后续其他工艺。 传统的CMOS图像传感器制造方法特点如下 1.考虑到内部放大电路及其他外围电路晶体管的速度等特性，后段工艺(包括介 质层和金属层厚度)往往与纯逻辑电路的后段工艺一致或者相当，从而整个后段介质层的 厚度比较厚。 2.太厚的后段介质层厚度导致入射光通过微透镜要经过比较远的距离才能到达 感光二极管(Photo diode， PD)的表面，这样就有可能导致像素之间的"光互扰"以及降低 CMOS图像传感器对光的响应角度，从而降低了图像的质量，特别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器制造方法，其特征在于，其后段工艺包括以下步骤：步骤一．在分布有感光二极管的感光层之上淀积一层阻挡层；步骤二．在上述阻挡层之上进行介质层淀积和平坦化、通孔及金属层工艺；步骤三．对感光二极管上方的介质层进行光刻、刻蚀，停止在阻挡层上，刻蚀掉感光二极管上方的阻挡层之上的介质；步骤四．淀积一金属层；步骤五．刻蚀掉阻挡层表面以及介质层顶部表面淀积的所述金属层；步骤六．淀积钝化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈华伦，熊涛，陈瑜，陈雄斌，罗啸，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]