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本发明公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器制造方法，其后段工艺中对感光二极管上方的介质层进行光刻、刻蚀，停止在阻挡层上，刻蚀掉感光二极管上方的阻挡层之上的介质层，然后淀积一金属层，刻蚀掉阻挡层表面以及介质层顶部表面淀积的所述金属层，再淀积钝化层。本...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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