先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法技术

本发明专利技术公开了一种先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法，包括步骤：依次形成隧穿介质层、浮栅和第一保护层。进行外围有源区定义并进行刻蚀形成多个第一浅沟槽。在第一浅沟槽的内侧表面形成第一内衬氧化层。依次形成第一BARC层、第二APF层和第三无氮DARC层。进行单元有源区定义并进行刻蚀形成多个第二浅沟槽。在第二浅沟槽的内侧表面形成第二内衬氧化层。在第一和第二浅沟槽中同时填充浅沟槽氧化层。本发明专利技术能同时克服浅沟槽的内衬氧化层的形成工艺对外围有源区的圆化不足以及对单元有源区的浮栅氧化损耗过大的缺陷，从而同时改善外围器件和闪存单元的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种先浮栅(fg-first)工艺制造etox闪存的方法。

技术介绍

1、现有传统的fg-first技术路线先做单元有源区(cell active area，caa)再做外围有源区(peripheral aa，paa)，因浮栅(floating gate，fg)在浅沟槽隔离(sti)之前形成,若sti内衬(liner)氧化层(oxidation)采用双(double)sti liner则会使得fg被氧化过多造成耦合率(coupling ratio)减小,影响闪存单元器件(cell device)性能.

2、若采用单(single)sti liner,外围区域因顶角圆化(corner rounding)不够使得外围aa即paa的corner区域栅氧偏薄,外围aa的边缘(edge)的电场偏大,对外围器件(device)性能有影响,如时间相关介质击穿(time dependent dielectric breakdown，tddb)，指状(finger)结构击穿电压(bv)等。</p>

3、如图本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

3.如权利要求1所述的先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法，其特征在于：所述隧穿介质层的材料包括氧化层。

4.如权利要求1所述的先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法，其特征在于：所述浮栅的材料包括多晶硅。

5.如权利要求1所述的先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法，其特征在于：所述第一内衬氧化层的形成工艺包括热氧化；

6.如权利要求5所述的先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种先浮栅工艺制造etox闪存的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的先浮栅工艺制造etox闪存的方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

3.如权利要求1所述的先浮栅工艺制造etox闪存的方法，其特征在于：所述隧穿介质层的材料包括氧化层。

4.如权利要求1所述的先浮栅工艺制造etox闪存的方法，其特征在于：所述浮栅的材料包括多晶硅。

5.如权利要求1所述的先浮栅工艺制造etox闪存的方法，其特征在于：所述第一内衬氧化层的形成工艺包括热氧化；

6.如权利要求5所述的先浮栅工艺制造etox闪存的方法，其特征在于：所述第一内衬氧化层的形成工艺采用双内衬工艺，所述第二内衬氧化层的形成工艺采用单内衬工艺，所述双内衬工艺的热氧化时间大于所述单内衬工艺的热氧化时间，使所述第一内衬氧化层的厚度大于所述第二内衬氧化层的厚度。

7.如权利要求5所述的先浮栅工艺制造etox闪存的方法，其特征在于：所述第一内衬氧化层的热氧化采用原位水汽生长工艺；

8.如权利要求1所述的先浮栅工艺制造etox闪存的方法，其特征在于：采用第一次...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜怡行，王壮壮，姚春，王虎，顾林，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：