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本发明公开了一种先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法,包括步骤:依次形成隧穿介质层、浮栅和第一保护层。进行外围有源区定义并进行刻蚀形成多个第一浅沟槽。在第一浅沟槽的内侧表面形成第一内衬氧化层。依次形成第一BARC层、第二APF层和第三无氮DAR...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法,包括步骤:依次形成隧穿介质层、浮栅和第一保护层。进行外围有源区定义并进行刻蚀形成多个第一浅沟槽。在第一浅沟槽的内侧表面形成第一内衬氧化层。依次形成第一BARC层、第二APF层和第三无氮DAR...