硅衬底III-V面阵器件制造技术

本申请公开了一种硅衬底III‑V面阵器件，包括硅(001)衬底，第一表面上设有盲孔，盲孔包括四棱锥形孔段和倒四棱锥形孔段，四棱锥形孔段的锥底端与倒四棱锥形孔段的锥底端连接为一体；氧化层，布置在第一表面上，设有与盲孔一一对应连接的通孔；器件单元，布置在对应的盲孔和通孔内。本申请在硅衬底表面刻蚀得到由四棱锥形孔段和四棱倒锥形孔段连接组成的第二刻蚀孔，异质界面缺陷延伸至器件结构中，抑制晶格失配造成的穿透位错，有效降低缺陷；沿倒锥形段内壁斜面平行方向缺陷被锥形孔段侧壁阻挡，提高晶体质量，提高器件的性能，降低工艺复杂性，避免器件侧壁漏电，提高单元器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请是关于iii-v面阵器件，特别是关于一种硅衬底iii-v面阵器件。

技术介绍

1、iii-v面阵器件广泛的应用，目前主要通过硅基ic电路与iii-v面阵器件互联进行应用。随着摩尔定律的失效，光电集成技术成为后摩尔定律的解决方案之一，其具有性价比高、集成度高、抗干扰能力强以及功能丰富等诸多优势。

2、近年来以硅衬底为基础进行的砷化镓、磷化铟和锑化物集成取得了巨大的技术进步，相关科技人员已经研制出硅衬底的激光器和探测器等可应用于集成技术的器件，但是在硅上异质外延iii-v化合物存在由于异质结导致的晶格大失配、膨胀系数差异、晶体极性差异等多种问题，限制了硅基iii-v面阵器件的性能，使得硅基光电器件无法在市场中普及应用。

3、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本申请的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种硅衬底iii-v面阵器件及其制备方法，以解决现有技术中在硅上异质外延ii本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅衬底III-V面阵器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅衬底III-V面阵器件，其特征在于，所述器件单元包括III-V材料种子层、III-V材料缓冲层和器件结构层。

3.根据权利要求2所述的硅衬底III-V面阵器件，其特征在于，所述III-V材料种子层和所述III-V材料缓冲层层叠布置在所述盲孔内，且所述III-V材料缓冲层的表面与所述第一表面平齐，所述器件结构层布置在所述通孔内，所述器件结构层的厚度小于或等于所述氧化层的厚度，且所述器件结构层包括沿背离所述III-V材料种子层方向依次设置的第一导电类型接触层、器件单元和第二导电类型接触层；...

【技术特征摘要】

1.一种硅衬底iii-v面阵器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅衬底iii-v面阵器件，其特征在于，所述器件单元包括iii-v材料种子层、iii-v材料缓冲层和器件结构层。

3.根据权利要求2所述的硅衬底iii-v面阵器件，其特征在于，所述iii-v材料种子层和所述iii-v材料缓冲层层叠布置在所述盲孔内，且所述iii-v材料缓冲层的表面与所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：董旭，熊敏，朱杰，
申请(专利权)人：中科纳米张家港化合物半导体研究所，
类型：新型
国别省市：