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本申请公开了一种硅衬底III‑V面阵器件，包括硅(001)衬底，第一表面上设有盲孔，盲孔包括四棱锥形孔段和倒四棱锥形孔段，四棱锥形孔段的锥底端与倒四棱锥形孔段的锥底端连接为一体；氧化层，布置在第一表面上，设有与盲孔一一对应连接的通孔；器件单...
该专利属于中科纳米张家港化合物半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中科纳米张家港化合物半导体研究所授权不得商用。

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