水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法。其中该方法采用一个单调掩模板和两个双调掩模板制造了液晶显示装置的阵列基板，具体为：通过采用单调掩模板形成栅线、栅电极和显示区域；通过采用第一双调掩模板形成ＴＦＴ和位于板状电极上的透射区域和反射区域；通过采用第二双调掩模板形成过孔和缝隙电极。相比采用三个双调掩模板的现有技术，本发明专利技术采用了一个单调掩模板和两个双调掩模板，从而不仅通过降低掩模板的价格降低了制作成本，而且通过减少一次灰化工艺实现了工艺的简单化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特 别涉及利用三次掩模工艺的水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列基板的 制造方法。
技术介绍
液晶显示装置(Liquid Crystal Display,简称为LCD)是一种主要的平板 显示装置(Flat Panel Display,简称为FPD)。根据驱动液晶的电场方向，液晶显示装置分为垂直电场型液晶显示装置 和水平电场型液晶显示装置。水平电场型液晶显示装置中进一步包括边界 电场切换(FringeField Switching,简称为FFS)型液晶显示装置。边界电场切换技术是通过缝隙电极产生的边缘电场，使液晶分子都能在 水平方向产生旋转，从而不仅能够增大视角而且还能提高液晶层的透光率。 FFS型液晶显示装置具有很好的视角性能，同时也具有很好的亮度性能和对 比度性能。根据液晶显示装置的显示方式，液晶显示装置分为透过式液晶显示装置、 半透过式液晶显示装置和反射式液晶显示装置。其中，透过式液晶显示装置 通过透射从背光源照射出来的亮光显示画面；半透过式液晶显示装置通过透 射从背光源照射出来的亮光和反射从外部照射进来的亮光显示画面；反射式 液晶显示装置通过反射从外部照射进来的亮光显示画面。在本专利技术中，将板状电极、栅线、硅岛、薄膜晶体管沟道和源漏电极的 复合结构定义为预置层；将过孔和缝隙电极的复合结构定义为后置层。作为 一种通过改进制作工艺减少投资和提高产量的制造方法，技术人员提出了通过三次掩模工艺制造水平电场型半透过式液晶显示装置的方法，该方法包括预置层的制作和后置层的制作，其中预置层的制作包括第一次掩模工艺，依次沉积第一透明导电层和第一金属层，用第一双调掩模板(dual tone mask)形成由第一透明导电层和第一金属层构成的栅线，并且在显示区域的反射区域形成由第一金属层构成的反射板，在显示区域的透射区域形成由第 一 透明导电层构成的板状电极；第二次掩模工艺，依次沉积第一绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和第二金属层，用第二个双调掩模板形成硅岛、薄膜晶体管沟道、源漏电极； 其中后置层的制作包括第三次掩模工艺，沉积第二绝缘层，用第三个双调掩模板形成过孔，对 残留的光刻胶进行灰化，并沉积第二透明导电层，在剥离(liftoff)残留的光 刻胶之后形成缝隙电极。上述的3次掩模工艺虽然降低了掩模板的数量，但是采用了价格昂贵的 双调掩模板。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，从而有效 地解决了现有技术中成本高、过程繁杂的缺陷。为实现上述目的，本专利技术提供了一种水平电场型半透过式液晶显示装置 的阵列基板制造方法，包括预置层的制作和后置层的制作，其特征在于，所 述预置层的制作包括第一次掩模工艺，在基板上依次沉积第一透明导电层和第一金属层之后 涂布光刻胶，采用单调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成分别由所述 第一透明导电层和所述第一金属层构成的显示区域图案、栅线和从所述栅线 分支出来的栅电极；第二次掩模工艺，在经过所述第一次掩模工艺的基板上依次沉积第一绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和第二金属层并且涂布光刻胶，采用第一双 调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成硅岛图案和数据线图案并且在所 述显示区域中露出位于透射区域的所述第 一金属层，对所述光刻胶进行灰化 工艺之后再进行蚀刻，在所述硅岛图案上形成沟道、与数据线连接的源电极 和漏电极，并且在所述显示区域图案上形成板状电极，并且所述板状电极的 反射区域由所述第一透明导电层和所述第一金属层构成，所述板状电极的透 射区域由所述第一透明导电层构成。其中，在所述第二次掩模工艺中，对所述光刻胶进行灰化工艺之后，在 所述显示区域中露出位于反射区域的所述第二金属层。其中，所述后置层的制作具体为第三次掩模工艺，在经过所述第二次掩模工艺的基板上涂布第二绝缘层， 采用第二双调掩模板进行曝光显影之后进行第一次蚀刻，在所述漏电极上形成过孔，对所述光刻胶进行灰化工艺之后沉积第二透明导电层，剥离残留的 光刻胶之后在所述显示区域形成通过所述过孔与所述漏电极连接的缝隙电 极。其中，所述第一金属层为反射率大于等于30%的金属材料。其中，所述第三次掩模工艺中所述缝隙电极为像素电极。其中，在所述第二次掩模工艺中，采用第一双调掩模板进行曝光显影之后，在所述显示区域的反射区域上露出位于公共线连接部的接触区域的所述第二金属层。其中，所述后置层的制作具体为第三次掩模工艺，在经过所述第二次掩模工艺的基板上涂布第二绝缘层， 采用第二双调掩模板进行曝光显影之后进行第一次蚀刻，在所述漏电极上形成过孔，在所述公共线连接部上形成过孔，对所述光刻胶进行灰化工艺之后 沉积第二透明导电层，剥离残留的光刻胶之后在所述显示区域形成通过所述 过孔与所述漏电极连接的缝隙电极。6其中，所述第二金属层为反射率大于等于30%的金属材料。 其中，所述第三次掩模工艺中所述缝隙电极为像素电极。 其中，在所述第二次掩模工艺中，在所述显示区域图案上形成的板状电 极为公共电极。本专利技术通过采用单调掩模板形成栅线、栅电极和显示区域的图案，通过 采用第一双调掩模板形成板状电极和沟道，并且在板状电极的反射区域残留 第一金属层作为反射板，通过采用第二双调掩模板形成过孔和缝隙电极，从 而用 一个单调掩模板和两个双调掩模板制造了水平电场型水平电场型半透过 式液晶显示装置的阵列基板。相比现有技术，本专利技术水平电场型半透过式液 晶显示装置的阵列基板制造方法用一个廉价的单调掩模板替代了一个昂贵的 双调掩模板，从而有效地降低了制造成本。并且由于用一个单调掩模板替代 了一个双调掩模板，因此相比现有技术，本专利技术水平电场型半透过式液晶显 示装置的阵列基板制造方法减少了一次灰化工艺，从而有效地简化了生产过 程，并且还提高了生产速度。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案估文进一步的详细描述。附图说明图1为本专利技术实施例一的方法流程示意图2a为本专利技术制造方法实施例一的第一次掩模工艺中采用单调掩模板进 行曝光显影后的平面示意图2b为图2a的A-A，截面示意图； 图2c为图2a的B-B，截面示意图3a为本专利技术制造方法实施例一的第 一次掩模工艺中进行蚀刻后的平面 示意图3b为图3a的A-A，截面示意图； 图3c为图3a的B-B，截面示意图；图4a为本专利技术制造方法实施例一的第二次掩模工艺中采用第 一双调掩模 板进行曝光显影后的平面示意图4b为图4a的A-A，截面示意图； 图4c为图4a的B-B，截面示意图5a为本专利技术制造方法实施例一的第二次掩模工艺中进行蚀刻和对光刻 胶进行灰化后的平面示意图5b为图5a的A-A，截面示意图； 图5c为图5a的B-B，截面示意图6a为本专利技术制造方法实施例一的第二次掩模工艺中再次进行蚀刻和清 洗光刻胶后的平面示意图6b为图6a的A-A，截面示意图； 图6c为图6a的B-B，截面示意图7a为本专利技术制造方法实施例一的第三次掩模工艺中曝光显影后的平面 示意图7b为图7a的A-A，截面示意图； 图7c为图7a的B-B，截面示意图8a为本专利技术制造方法实施例 一 的第三次掩模工艺中进行蚀刻后的平面 示意图8b为图8a的A-A，截面示意图； 图8c为图8a的B-B，截面示意图9a为本专利技术制造方法实施例 一 的第三次掩模工艺中剥离光刻胶后的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法，包括预置层的制作和后置层的制作，其特征在于，所述预置层的制作包括：　　　　第一次掩模工艺，在基板上依次沉积第一透明导电层和第一金属层之后涂布光刻胶，采用单调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成分别由所述第一透明导电层和所述第一金属层构成的显示区域图案、栅线和从所述栅线分支出来的栅电极；　　　　第二次掩模工艺，在经过所述第一次掩模工艺的基板上依次沉积第一绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和第二金属层并且涂布光刻胶，采用第一双调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成硅岛图案和数据线图案并且在所述显示区域中露出位于透射区域的所述第一金属层，对所述光刻胶进行灰化工艺之后再进行蚀刻，在所述硅岛图案上形成沟道、与数据线连接的源电极和漏电极，并且在所述显示区域图案上形成板状电极，并且所述板状电极的反射区域由所述第一透明导电层和所述第一金属层构成，所述板状电极的透射区域由所述第一透明导电层构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋泳锡，崔承镇，刘圣烈，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]