一种等离子腔室及其温度控制方法技术

本发明专利技术公开了一种等离子腔室及其温度控制方法，所述等离子腔室包括：下腔体，所述下腔体上面的上腔体，下腔体底部的基片支承装置和设于上腔体之中的控温模块；所述上腔体具有侧壁和覆盖于侧壁上的介质窗；所述下腔体、上腔体之间形成等离子腔室的内腔。本发明专利技术公开的等离子腔室的上腔体内设有控温模块，该控温模块可以单独控制覆盖于上腔体侧壁上的介质窗的温度，使介质窗的温度能够达到并稳定在设定温度，并配合等离子腔室的下腔体和基片支承装置的温度控制，能够保证等离子加工工艺的稳定性和准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子
，特别涉及。
技术介绍
等离子加工设备广泛地应用于集成电路、微机电系统或太阳能电池板的 制造工艺中。等离子中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由 基等活性粒子，这些活性粒子和被加工的衬底相互作用，在衬底表面发生复 杂的物理和化学反应，从而使衬底表面的结构和性能发生变化。例如常见的电感耦合等离子(Inductive Coupled Plasma, ICP )设备，在半导体制造方面 能够完成多种工艺，如各向异性、等向性刻蚀和化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD )等。为保持高质量的工艺结果，必须严格控制等离子加工设备中等离子腔室 的温度、激发功率、偏置电压等各种参数。其中，等离子腔室的温度控制是 影响工艺稳定性的重要因素，这一方面是由于等离子中活性粒子的离化率和 能量等对腔室的温度十分每丈感，另一方面，随着半导体衬底的尺寸越来越大， 腔室的温度对等离子加工的均匀性也有重要影响。因此， 一般等离子加工设 备都设有各种温度控制装置以获得稳定、准确的等离子腔室温度。图1为一种等离子加工设备的等离子腔室示意图。如图所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子腔室，其特征在于，包括：下腔体，位于下腔体上面的上腔体，位于下腔体底部的基片支承装置和位于上腔体之中的控温模块；所述上腔体具有侧壁和覆盖于侧壁上的介质窗；所述下腔体、上腔体之间形成等离子腔室的内腔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭宇霖，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[]