【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种形成金属互联结构的方法及半导体结构。
技术介绍
1、半导体工艺技术不断发展，随着器件尺寸不断缩小，超大规模集成电路(ultra-large-scale integration，简称ulsi)工艺越来越复杂，后段金属连线的尺寸也越来越缩小。随之导致金属生长填充变得越来越困难，现有技术一般通过不断改善设备填充能力来改善金属填充能力。
2、传统的金属互联结构通常采用大马士革工艺，即采用先刻蚀出沟槽再进行金属填充的方式形成。具体流程主要包括以下步骤：(1)在半导体衬底上进行叠层膜沉积，例如，从下往上依次沉积氮掺杂碳化硅(ndc)层、低介电常数(lk)介电层、二氧化硅(sio2)硬掩膜层、氮化钛(tin)硬掩膜层、胶底抗反射涂层(bottom anti-reflection coating，简称barc)、光刻胶(pr)层；(2)在所述叠层膜的基础上，刻蚀以及光刻沟槽至二氧化硅硬掩膜层；(3)在形成所述沟槽的半导体衬底上沉积有机介电层(organic dielectric layer，简称odl)...
【技术保护点】
1.一种形成金属互联结构的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜层的材料选自能够进行反应性离子刻蚀工艺的金属材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属材料选自铝、钌、钼中的一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属导线的宽度小于20纳米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图形化所述金属薄膜层形成金属导线的步骤，进一步包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图形化所述金属导线形成金属互联结构的步骤，进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种形成金属互联结构的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜层的材料选自能够进行反应性离子刻蚀工艺的金属材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属材料选自铝、钌、钼中的一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属导线的宽度小于20纳米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图形化所述金属薄膜层形成金属导线的步骤，进一步包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图形化所述金属导线形成金属互联结构的步骤，进一步包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上沉积金属薄膜层的步骤，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，图形化所述金属导线形成金属互联结构的步骤之后，进一步包括：
9.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：于海龙，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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