晶圆处理装置制造方法及图纸

本公开属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆处理装置，其包括：处理槽，用于容纳晶圆处理液；支撑组，包括多个支撑部，能够独立或共同支撑晶圆处于竖立状态，所述支撑部具有在支撑所述晶圆时与所述晶圆相接触的接触表面；动作系统，与多个所述支撑部分别相连，用于驱动多个所述支撑部之间相互配合运动，其中，至少一个所述支撑部的接触表面在所述动作系统的驱动下能够处于与所述晶圆相接触的状态；至少一个所述支撑部的接触表面在所述动作系统驱动其进入所述晶圆处理液的过程中与液面相交的区域能够处于与所述晶圆相分离的状态。该方案可改善晶圆清洗或蚀刻不充分及晶圆表面产生缺陷的情况。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于半导体，具体涉及一种晶圆处理装置。

技术介绍

1、在半导体制造过程中，为提升芯片良率及晶圆回收再利用率，湿法清洗及湿法蚀刻技术则尤为重要，但在利用支撑结构支撑晶圆进入处理槽进行湿法清洗或湿法蚀刻时，晶圆与支撑结构相接触的位置容易产生气泡，导致清洗或蚀刻不充分，最后产生缺陷。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种晶圆处理装置，用于改善晶圆清洗或蚀刻不充分及晶圆表面产生缺陷的情况。

2、本公开提供了一种晶圆处理装置，其包括：

3、处理槽，用于容纳晶圆处理液；

4、支撑组，包括多个支撑部，能够独立或共同支撑晶圆处于竖立状态，所述支撑部具有在支撑所述晶圆时与所述晶圆相接触的接触表面；

5、动作系统，与多个所述支撑部分别相连，用于驱动多个所述支撑部之间相互配合运动，其中，

6、至少一个所述支撑部的接触表面在所述动作系统的驱动下能够处于与所述晶圆相接触的状态；

7、至少一个所述支撑部的接触表面在所述动作系统驱动其进入所述晶圆处理液的过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，多个所述支撑部包括第一支撑部和设于所述第一支撑部的相对两侧的第二支撑部，所述第二支撑部的水平高度被配置为在所述第一支撑部和所述第二支撑部共同支撑所述晶圆时高于所述第一支撑部的水平高度，其中，

3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述动作系统包括：

4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述动作系统还包括：

5.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第二支撑部设置两个，并位于同一水平高度上。p>

6.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，多个所述支撑部包括第一支撑部和设于所述第一支撑部的相对两侧的第二支撑部，所述第二支撑部的水平高度被配置为在所述第一支撑部和所述第二支撑部共同支撑所述晶圆时高于所述第一支撑部的水平高度，其中，

3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述动作系统包括：

4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述动作系统还包括：

5.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘致伯，
申请(专利权)人：深圳市昇维旭技术有限公司，
类型：新型
国别省市：