一种集成肖特基的SGT器件的制作方法技术

本发明专利技术提供一种集成肖特基的SGT器件的制作方法，包括用现有工艺在衬底中形成沟槽、屏蔽电极隔离介质层、屏蔽电极、屏蔽电极和栅极之间的隔离介质层、栅极氧化层，以及生长栅极多晶硅并刻蚀到衬底表面；光刻定义出肖特基区域，对肖特基区域以外的衬底进行离子注入形成体区和源区；淀积层间介质层并刻蚀形成接触孔；利用光刻后CD减小的光刻工艺和完全的干法刻蚀工艺对肖特基区域的层间介质层和栅极氧化层进行刻蚀，使衬底表面露出；采用金属溅射的方法形成金属阻挡层；淀积金属钨将接触孔填满形成钨塞，并回刻将衬底表面的钨去除；形成金属层。本发明专利技术改进了肖特基工艺，通过减小光刻CD并改进干法刻蚀工艺，改善了器件形貌，显著提升了器件IDSS稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种集成肖特基的sgt器件的制作方法。

技术介绍

1、肖特基二极管(schottky barrier diode，简称sbd)具有正向压降低，开关频率高等优点，被广泛应用于功率器件领域如开关电源和驱动电路等。但传统的肖特基二极管反向漏电大，使得器件容易软击穿，降低了击穿电压，为了解决这个问题业内开发了沟槽势垒肖特基二极管(trench mos-barrier sbd，简称tmbs)。tmbs器件在正常偏压下，肖特基结开启，开启电压小，保留了肖特基二极管的正向导通特性；在反向偏压下,mos结构对沟槽之间的外延层进行耗尽，降低表面电场，从而减小漏电流，提高器件击穿电压。

2、目前集成肖特基二极管的屏蔽栅沟槽(shielded gate trench，sgt)工艺流程为：在衬底中形成沟槽；在沟槽中淀积多晶硅；离子注入形成体区和源区；淀积层间膜并刻蚀形成接触孔；光刻刻蚀形成肖特基槽；形成金属阻挡层(barrier metal)；淀积金属钨(w)并回刻；形成金属层。其中，肖特基槽采用干法刻蚀结合湿法刻蚀的工艺形成。如图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成肖特基的SGT器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的集成肖特基的SGT器件的制作方法，其特征在于，步骤一中所述衬底为硅衬底。

3.根据权利要求1所述的集成肖特基的SGT器件的制作方法，其特征在于，步骤三中所述层间介质层为氧化层。

4.根据权利要求1所述的集成肖特基的SGT器件的制作方法，其特征在于，步骤三中所述接触孔为源极接触孔。

5.根据权利要求1所述的集成肖特基的SGT器件的制作方法，其特征在于，步骤四中所述干法刻蚀工艺为刻蚀按照时间的等离子体刻蚀工艺。

6.根据权利要求1所述的集成...

【技术特征摘要】

1.一种集成肖特基的sgt器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的集成肖特基的sgt器件的制作方法，其特征在于，步骤一中所述衬底为硅衬底。

3.根据权利要求1所述的集成肖特基的sgt器件的制作方法，其特征在于，步骤三中所述层间介质层为氧化层。

4.根据权利要求1所述的集成肖特基的sgt器件的制作方法，其特征在于，步骤三中所述接触孔为源极接触孔。

5.根据权利要求1所述的集成肖特基的sgt器件的制作方法，其特征在于，步骤四中所述干法刻蚀工艺为刻蚀按照时间的等离子体刻蚀工艺。

6.根据权利要求1所述的集成肖特基的sgt器件的制作方法，其特征在于，步骤四中所述干法刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹振忠，田磊，霍武英，肖泽龙，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：