一种Si2H/WSe2异质结及其制备方法以及一种光电探测器技术

本发明专利技术涉及纳米材料领域，特别涉及一种Si<subgt;2</subgt;H/WSe<subgt;2</subgt;异质结及其制备方法以及一种光电探测器，一种Si<subgt;2</subgt;H/WSe<subgt;2</subgt;异质结，在二维Si<subgt;2</subgt;H材料上堆叠单层的二维WSe<subgt;2</subgt;材料形成异质结，由由单层二维WSe<subgt;2</subgt;材料的4×4×1个晶胞和单层二维Si<subgt;2</subgt;H材料的个晶胞构成超胞在超胞中，单层二维WSe<subgt;2</subgt;材料的三个W原子与单层二维Si<subgt;2</subgt;H材料的三个Si对齐得到第一堆叠结构，或者单层二维WSe<subgt;2</subgt;材料的三个Se原子与单层二维Si<subgt;2</subgt;H材料的三个Si对齐得到第四堆叠结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米材料领域，特别涉及一种si2h/wse2异质结及其制备方法以及一种光电探测器。

技术介绍

1、wse2单层二维材料存在载流子寿命短、紫外光范围吸收能力不强、无法克服光生电子和空穴复合率高等问题。因此，对于wse2二维材料异质结光电探测器的设计主要的研究都集中在通过wse2和其他二维材料所构建的异质结，然而，传统的方法制备范德华异质结一般都通过二维材料的微区定点转移，或者通过二次生长来制备。其中微区定点转移方案需要使用凝胶薄膜，难以彻底清除；在转移过程中容易产生二维材料损伤，两种材料的接触界面也容易受到二维材料褶皱的影响，导致接触不良；采用二次生长的方法成功制备范德华异质结的概率很低，难度较大。

技术实现思路

1、针对现有异质结存在的问题，本专利技术提出一种si2h/wse2异质结，在二维si2h材料上堆叠单层的二维wse2材料形成异质结。

2、进一步的，二维si2h材料与wse2材料之间的距离为

3、优选的，二维si2h材料与wse2材料之间的距离为

4、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Si2H/WSe2异质结，其特征在于，在二维Si2H材料上堆叠单层的二维WSe2材料形成异质结。

2.根据权利要求1所述的一种Si2H/WSe2异质结，其特征在于，二维Si2H材料与WSe2材料之间的距离为

3.根据权利要求2所述的一种Si2H/WSe2异质结，其特征在于，二维Si2H材料与WSe2材料之间的距离为

4.根据权利要求1所述的一种Si2H/WSe2异质结，其特征在于，二维Si2H材料中Si与H之间的距离为Si与Si之间的距离为二维WSe2材料中W与Se之间的距离为

5.根据权利要求1所述的一种Si2H/WSe2异质结，...

【技术特征摘要】

1.一种si2h/wse2异质结，其特征在于，在二维si2h材料上堆叠单层的二维wse2材料形成异质结。

2.根据权利要求1所述的一种si2h/wse2异质结，其特征在于，二维si2h材料与wse2材料之间的距离为

3.根据权利要求2所述的一种si2h/wse2异质结，其特征在于，二维si2h材料与wse2材料之间的距离为

4.根据权利要求1所述的一种si2h/wse2异质结，其特征在于，二维si2h材料中si与h之间的距离为si与si之间的距离为二维wse2材料中w与se之间的距离为

5.根据权利要求1所述的一种si2h/wse2异质结，其特征在于，通过对空间群为fd3m，晶格常数为b＝a、γ＝90°的si材料进行(111)面切面后，利用h原子饱和si材料在切面后表面的未配对悬挂键获得二维si2h材料；二维wse2材料为空间群为p63/mmc，晶格常数为b＝a、γ＝120°的材料；由单层二维wse2材料的4×4×1个晶胞和单层二维si2h材料的个晶胞构...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁先啸，赵洪泉，石轩，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：