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本发明涉及纳米材料领域，特别涉及一种Si<subgt;2</subgt;H/WSe<subgt;2</subgt;异质结及其制备方法以及一种光电探测器，一种Si<subgt;2</subgt;H/WSe&...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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