【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制备GaN基及ZnO基白光发光二极管荧光衬底材料,特别是一种锰铬 共掺的镁铝尖晶石荧光衬底材料及其制备方法。
技术介绍
目前应该最广泛的光源是白炽灯和荧光灯。虽然白炽灯和荧光灯具有价格便 宜、易制备且制备技术成熟;但白炽灯寿命较短,而荧光灯光电转换效率较低。发光二极 管(LED)作为一种新的照明光源,具有效率高、体积小、寿命长、价格低等优点。目前,单色 LED(红、黄、蓝、绿等)的技术已经趋于成熟,并且已经商品化。但是单色LED无法用作白光 照明光源以及显示器的背景光源。 目前利用LED来产生白光主要是用蓝光LED与钇铝石榴石(YAG)荧光粉组合发光 (参见Shuji Nakamura, et al. , The Blue Laser Diode (GaNBased Light Emitters and Lasers) January 1997, Springer, P 216-221)。原理是将LED发出的蓝光一部分用来激励 YAG荧光粉,使荧光粉发出黄光;另一部分蓝光和YAG荧光粉发出的黄光混合后即得到白光 发射。 利用荧光粉发光和单色LED合 ...
【技术保护点】
一种锰、铬共掺的镁铝尖晶石荧光衬底材料,其特征在于该荧光衬底材料的分子式为MgO↓[(1-z)].(Al↓[2]O↓[3])↓[(x-y)]:Mn↓[z],Cr↓[y],其中x的取值范围是1~5,y的取值范围是0.00001~0.1,z的取值范围是0.00001~0.1。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:夏长泰,饶汗,杨卫桥,吴锋,王静雅,徐晓东,周国清,
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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