灵敏放大器、控制器和控制方法技术

技术编号:41788335 阅读:21 留言:0更新日期:2024-06-24 20:15
本公开提供一种灵敏放大器、控制器和控制方法,包括第一P型晶体管,源极接第一电源端,漏极接第一N型晶体管的栅极和位线,栅极接第一N型晶体管的漏极,第二P型晶体管的源极接第一P型晶体管的源极,漏极接第二N型晶体管的栅极和互补位线,栅极接第二N型晶体管的漏极,第一N型晶体管的源极接第二N型晶体管源极后接第二电源端,第一开关单元接于第一P型晶体管的漏极和第二N型晶体管的漏极间,第二开关单元接于第一N型晶体管的漏极和第二P型晶体管的漏极间,第三开关单元接于第一N型晶体管的栅极和第一N型晶体管的漏极间,第四开关单元接于第二N型晶体管的栅极和第二N型晶体管的漏极。通过如此设置,提升时序参数性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及但不限定于一种灵敏放大器、控制器和控制方法


技术介绍

1、随着手机、平板、个人计算机等电子设备的普及,半导体存储器技术也得到了快速的发展。

2、灵敏放大器(sense amplifier简称:sa)是半导体存储器的一个重要组成部分,主要作用是将位线上的小信号进行感测放大,进而执行读取或者写入操作。对于灵敏放大器的改进有利于提升数据读写性能。


技术实现思路

1、本公开提供一种灵敏放大器,包括:

2、第一p型晶体管,源极连接第一电源端,漏极连接第一n型晶体管的栅极,漏极还连接位线,栅极连接第一n型晶体管的漏极;

3、第二p型晶体管,源极连接第一p型晶体管的源极,漏极连接第二n型晶体管的栅极,漏极还连接互补位线,栅极连接第二n型晶体管的漏极;

4、第一n型晶体管,源极连接第二电源端,

5、第二n型晶体管,源极连接第一n型晶体管的源极;

6、第一开关单元,第一端连接第一p型晶体管的漏极,第二端连接第二n型晶体管的漏极,控制端接收隔离控本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种灵敏放大器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述灵敏放大器还包括:

3.根据权利要求2所述的灵敏放大器,其特征在于,所述均衡电路,具体包括:

4.根据权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一开关单元,具体包括:

5.根据权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第三开关单元,具体包括:

6.一种灵敏放大器的控制方法,其特征在于,所述灵敏放大器包括:

7.根据权利要求6所述的控制方法,其特征在于,所述灵敏放大器还包括均衡电路,连接所述位线和所述互补位线;

...

【技术特征摘要】

1.一种灵敏放大器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述灵敏放大器还包括:

3.根据权利要求2所述的灵敏放大器,其特征在于,所述均衡电路,具体包括:

4.根据权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一开关单元,具体包括:

5.根据权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第三开关单元,具体包括:

6.一种灵敏放大器的控制方法,其特征在于,所述灵敏放大器包括:

7.根据权利要求6所述的控制方法,其特征在于,所述灵敏放大器还包括均衡电路,连接所述位线和所述互补位线;

8.根据权利要求7所述的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:

9.根据权利要求7或8所述的控制方法,其特征在于,

10.根据权利要求9所述的控制方法,其特征在于,在偏移消除阶段,所述第一电源端提供电源电压,所述第二电源端提供接地电压,控制所述第一开关单元和所述第二开关单元均处于断开状态,控制所述第三开关单元和所述第四开关单元均处于闭合状态,在所述位线和所述互补位线上产生补偿电压,具体包括:

11.根据权利要求9所述的控制方法,其特征在于,在所述偏...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘芙彤罗元钧
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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