【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其控制方法。
技术介绍
1、相变存储器(phase change random access memory，pcram)是一种固态半导体非易失性存储器，其具有高速读写、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低等优点，且相比于动态随机存储器(dram)来说，其成本更低，断电后信息不会丢失，存储密度更大，因此被认为是极具发展前景的新型非易失性存储器。
2、相变存储器利用电脉冲信号作用于器件存储单元，通过控制存储单元产生焦耳热的大小来实现温度的变化，使相变材料在非晶态和晶态之间发生可逆变化，进而实现信息的写入或擦除操作。通过识别非晶态时与晶态时的电阻(例如，非晶态时的高电阻与晶态时的低电阻)，以实现信息的读取操作。
3、目前，相变存储器的晶态和非晶态之间的读取电压差约为1v，导致其读窗口(readwindow margin，rwm)较小，而相变存储器中不可避免的存在电性漂移现象，会进一步降低其读窗口，进而影响相变存储器的晶态和非晶态的读取。因此，如何提高相变存储器的读窗口成为
【技术保护点】
1.一种半导体器件的控制方法，其特征在于，所述半导体器件包括层叠设置的第一电极、选通层、存储层以及第二电极；
2.根据权利要求1所述的半导体器件的控制方法，其特征在于，在所述第一电极和所述第二电极之间加载第一电流或者第一电压，以使所述存储层处于第一数据态的过程中，所述第一电流或者所述第一电压在所述选通层中形成第一内建电场，所述第一内建电场的方向与所述读取电流的方向相反。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的控制方法，其特征在于，所述半导体器件的控制方法还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的控制方法，其特征在于，在所述第一电极...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的控制方法，其特征在于，所述半导体器件包括层叠设置的第一电极、选通层、存储层以及第二电极；
2.根据权利要求1所述的半导体器件的控制方法，其特征在于，在所述第一电极和所述第二电极之间加载第一电流或者第一电压，以使所述存储层处于第一数据态的过程中，所述第一电流或者所述第一电压在所述选通层中形成第一内建电场，所述第一内建电场的方向与所述读取电流的方向相反。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的控制方法，其特征在于，所述半导体器件的控制方法还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的控制方法，其特征在于，在所述第一电极和所述第二电极之间加载第二电流或者第二电压，以使所述存储层处于第二数据态的过程中，所述第二电流或者所述第二电压在所述选通层中形成第二内建电场，所述第二内建电场的方向与所述读取电流的方向相同。
5.根据权利要求3所述的半导体器件的控制方法，其特征在于，所述第一电极连接至字线与位线中的一者，所述第二电极连接至所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈彬，杨红心，周凌珺，刘峻，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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