一种EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构制造技术

本发明专利技术涉及芯片封装技术领域，具体为一种EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，包括：晶圆底板，晶圆底板内设置有晶圆芯片，晶圆芯片正面设置有锡球，晶圆芯片的背面设置有绝缘膜，绝缘膜的背面贴合有氧化硅层，氧化硅层的背面设置有屏蔽层；加强层包括筋网层和加固层加固层的背面贴合有加厚层，加厚层与屏蔽层的正面贴合；有益效果为：通过在晶圆底板的背面设置有绝缘膜，绝缘膜背面设置有氧化硅层，氧化硅层背面设置有屏蔽层，屏蔽层对整个晶圆形成覆盖屏蔽，减少封装中的杂散和辐射，屏蔽层由金属电镀制成，通过控制电镀厚度，可在屏蔽层背面形成凹陷部，以提高后续塑封时的封装强度和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装，具体为一种emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构。

技术介绍

1、随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。

2、现有的芯片封装结构中，芯片正面的重布线层连接锡球，芯片背面塑封，芯片以倒扣的方式安装于pcb基板上，并通过锡球保持电性连接。

3、但目前，芯片自身极为脆弱，芯片与其连接的基板热膨胀系数不同，可能会导致在芯片受到热冲击时，芯片与基板之间产生的应力导致二者连接不稳定而使芯片断裂。为此，本专利技术提出一种emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构用于解决上述问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，所述emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构包括：</p>

3、晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，其特征在于：所述EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构包括：

2.根据权利要求1所述的一种EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，其特征在于：所述屏蔽层(5)的正面设置有凸起部(51)，所述凸起部(51)与加厚层(8)保持同一平面，且凸起部(51)的正面贴合筋网层(6)的背面。

3.根据权利要求2所述的一种EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，其特征在于：所述屏蔽层(5)由金属电镀制成，所述电镀的金属为钛、铜、铝、镍中的一种或合金。

4.根据权利要求3所述的一种EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，其特征在于：所述屏蔽层(5)电镀...

【技术特征摘要】

1.一种emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，其特征在于：所述emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构包括：

2.根据权利要求1所述的一种emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，其特征在于：所述屏蔽层(5)的正面设置有凸起部(51)，所述凸起部(51)与加厚层(8)保持同一平面，且凸起部(51)的正面贴合筋网层(6)的背面。

3.根据权利要求2所述的一种emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，其特征在于：所述屏蔽层(5)由金属电镀制成，所述电镀的金属为钛、铜、铝、镍中的一种或合金。

4.根据权利要求3所述的一种emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，其特征在于：所述屏蔽层(5)电镀后背面经打磨保持齐平，所述屏蔽层(5)的厚度为0-700um。

5.根据权利要求3所述的一种emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，其特征在于：所述屏蔽层(5)的背面向内凹陷形成凹陷部(52)，所述凹陷部(52)与凸起部(51)对应。

6.根据权利要求1所述的一种emi屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李飞，张弛，刘涛，
申请(专利权)人：江苏凯嘉电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：