【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及一种存储装置。
技术介绍
1、作为大容量的非易失性存储装置，有交叉点型的2端子存储装置。交叉点型的2端子存储装置容易实现存储单元的微细化、高集成化。
2、交叉点型的2端子存储装置的存储单元例如具有电阻变化元件及开关元件。因存储单元具有开关元件，而抑制选择存储单元以外的存储单元中流通的电流。
3、要求开关元件具备低漏电流、高接通电流、及高可靠性等优异特性。
技术实现思路
1、在本专利技术的一实施方式中，提供一种具有优异特性的开关元件的存储装置。
2、本专利技术的实施方式的存储装置具备存储单元，所述存储单元包含第1导电层、第2导电层、设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的第3导电层、设置在所述第1导电层与所述第3导电层之间的开关层、以及设置在所述第3导电层与所述第2导电层之间的电阻变化层，且所述开关层包含第1元素的氧化物、锑(sb)、及第2元素，所述第1元素是选自由锆(zr)、铪(hf)、钇(y)、钽(ta)、镧(la)、铈(ce...
【技术保护点】
1.一种存储装置，具备存储单元，所述存储单元包含第1导电层、第2导电层、设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的第3导电层、设置在所述第1导电层与所述第3导电层之间的开关层、以及设置在所述第3导电层与所述第2导电层之间的电阻变化层，所述开关层包含第1元素的氧化物、锑(Sb)、及第2元素，所述第1元素是选自由锆(Zr)、铪(Hf)、钇(Y)、钽(Ta)、镧(La)、铈(Ce)、镁(Mg)、及钛(Ti)所组成的群中的至少一种元素，所述第2元素是选自由碳(C)、硼(B)、氮(N)、矽(Si)、及锡(Sn)所组成的群中的至少一种元素。
2.根据权利要求1所述的存...
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，具备存储单元，所述存储单元包含第1导电层、第2导电层、设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的第3导电层、设置在所述第1导电层与所述第3导电层之间的开关层、以及设置在所述第3导电层与所述第2导电层之间的电阻变化层，所述开关层包含第1元素的氧化物、锑(sb)、及第2元素，所述第1元素是选自由锆(zr)、铪(hf)、钇(y)、钽(ta)、镧(la)、铈(ce)、镁(mg)、及钛(ti)所组成的群中的至少一种元素，所述第2元素是选自由碳(c)、硼(b)、氮(n)、矽(si)、及锡(sn)所组成的群中的至少一种元素。
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第1元素的原子浓度与所述开关层中包含的氧(o)的原子浓度的和为20原子％以上95原子％以下。
3.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的锑(sb)的原子浓度为1原子％以上。
4.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第2元素的原子浓度为1原子％以上30原子％以下。
5.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中的锑(sb)的原子浓度相对于所述第2元素的原子浓度的比率为三分之一以上且小于3。
6.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中的锑(sb)的原子浓度相对于所述第2元素的原子浓度的比率为0.8以上2以下。
7.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层包含或不包含锗(ge)，所述开关层中的锗(ge)的原子浓度为0.5原子％以下，所述开关层包含或不包含碲(te)，所述开关层中的碲(te)的原子浓度为0.5原子％以下，所述开关层包含或不包含砷(as)，所述开关层中的砷(as)的原子浓度为0.5原子％以下。
8.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层包含或不包含锗(ge)，所述开关层中的锗(ge)的原子浓度相对于锑(sb)的原子浓度的比率为0.03以下，所述开关层包含或不包含碲(te)，所述开关层中的碲(te)的原子浓度相对于锑(sb)的原子浓度的比率为0.03以下，所述开关层包含或不包含砷(as)，所述开关层中的砷(as)的原子浓度相对于锑(sb)的原子浓度的比率为0.03以下。
9.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述第1导电层、所述第2导电层、或所述第3导电层包含选自由碳、氮化碳、钨、碳化钨、及氮化钨所组成的群中的至少一种物质。
10.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述第1导电层、所述第2导电层、或所述第3导电层包含选自由铪、硼化铪、硼化铝镁、锆、硼化锆、及硼化钛所组成的群中的至少一种物质。
11.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述电阻变化层包含磁隧道结。
12.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述电阻变化层的电阻是通过施加规定电压而变化，所述开关层具有在指定的阈值电压下电流上升的非线性电流电压特性。
13.根据权利要求1所述的存储装置，还具备多个第1配线、及与所述多个第1配线交叉的多个第2配线，且在所述多个第1配线的一个与所述多个第2配线的一个相交叉的区域设置所述存储单元。
14.一种存储装置，具备存储单元，所述存储单元包含第1导电层、第2导电层、以及设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的存储器层，所述存储器层包含第1元素的氧化物、锑(sb)、及第2元素，所述第1元素是选自由锆(zr)、铪(hf)、钇(y)、钽(ta)、镧(la)、铈(ce)、镁(mg)、及钛(ti)所组成的群中的至少一种元素，所述第2元素是选自由碳(c)、硼(b)、氮(n)、矽(si)、及锡(sn)所组成的群中的至少一种元素。
15.根据权利要求14所述的存储装置，其中所述存储器层具有在指定的阈值电压下电流上升的非线性电流电压特性，且通过施加规定电压而所述阈值电压变化。
16.根据权利要求14所述的存储装置，还具备多个第1配线、及与所述多个第1配线交叉的多个第2配线，在所述多个第1配线的一个与所述多个第2配线的一个相交叉的区域设置所述存储单元。
17.一种存储装置，具备存储单元，所述存储单元包含第1导电层、第2导电层、设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的第3导电层、设置在所述第1导电层与所述第3导电层之间的开关层、以及设置在所述第3导电层与所述第2导电层之间的电阻变化层，且所述开关层包含铝(al)的氧化物、锑(sb)、以及作为选自由碳(c)、硼(b)、氮(n)、矽(si)、及锡(sn)所组成的群中的至少一种元素的第1元素。
18.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述开关层还包含第2元素的氧化物，所述第2元素是选自由锆(zr)、铪(hf)、钇(y)、钪(sc)、钽(ta)、铌(nb)、钒(v)、镧(la)、铈(ce)、镁(mg)、及钛(ti)所组成的群中的至少一种元素。
19.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述开关层中包含的铝(al)的元素的原子浓度与所述开关层中包含的氧(o)的原子浓度的和为20原子％以上95原子％以下。
20.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述开关层中包含的锑(sb)的原子浓度为1原子％以上。
21.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第1元素的原子浓度为1原子％以上30原子％以下。
22.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述开关层中的锑(sb)的原子浓度相对于所述第1元素的原子浓度的比率小于3。
23.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述开关层包含或不包含锗(ge)，所述开关层中的锗(ge)的原子浓度为0.5原子％以下，所述开关层包含或不包含碲(te)，所述开关层中的碲(te)的原子浓度为0.5原子％以下，所述开关层包含或不包含砷(as)，所述开关层中的砷(as)的原子浓度为0.5原子％以下。
24.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述开关层包含或不包含锗(ge)，所述开关层中的锗(ge)的原子浓度相对于锑(sb)的原子浓度的比率为0.03以下，所述开关层包含或不包含碲(te)，所述开关层中的碲(te)的原子浓度相对于锑(sb)的原子浓度的比率为0.03以下，所述开关层包含或不包含砷(as)，所述开关层中的砷(as)的原子浓度相对于锑(sb)的原子浓度的比率为0.03以下。
25.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述第1导电层、所述第2导电层、或所述第3导电层包含选自由碳、氮化碳、钨、碳化钨、及氮化钨所组成的群中的至少一种物质。
26.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述第1导电层、所述第2导电层、或所述第3导电层包含选自由铪、硼化铪、硼化铝镁、锆、硼化锆、及硼化钛所组成的群中的至少一种物质。
27.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述电阻变化层包含磁隧道结。
28.根据权利要求17所述的存储装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤裕也，后藤正和，河合宏树，岩崎刚之，小松克伊，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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