包括设置在发射区域上面的导电涂层的器件及其方法技术

一种电致发光器件，包括：(1)第一发射区域和第二发射区域，第一发射区域配置为发射与第二发射区域不同波长的光；和(2)设置在第一发射区域和第二发射区域中的导电涂层，该导电涂层包括设置在第一发射区域中的第一部分和设置在第二发射区域中的第二部分，第一部分具有第一厚度和第二部分具有第二厚度，其中第一厚度不同于第二厚度。

【技术实现步骤摘要】

以下一般地涉及一种器件，该器件包括设置在该器件的发射区域上面的导电涂层，以及用于在器件的发射区域上沉积导电材料的方法。具体地，该方法涉及在表面上导电材料的选择性沉积，以形成器件的导电结构。

技术介绍

1、有机发光二极管(oled)通常包括插入到导电薄膜电极之间的若干有机材料层，其中至少一个有机层是电致发光层。当将电压施加到电极时，空穴和电子分别从阳极和阴极注入。由电极注入的空穴和电子迁移通过有机层到达电致发光层。当某空穴和某电子非常接近时，它们会因库仑力而相互吸引。然后空穴和电子可以结合以形成被称为激子的束缚态。激子可以通过辐射复合过程衰变，在该辐射复合过程中释放光子。可选地，激子可以通过非辐射复合过程衰变，在该非辐射复合过程中不释放光子。应该注意，如本文所使用，内部量子效率(iqe)将被理解为在通过辐射复合过程衰变的器件中产生的所有电子-空穴对的比例。

2、取决于电子-空穴对(即，激子)的自旋态，辐射复合过程可以作为荧光或磷光过程发生。具体地，由电子-空穴对形成的激子可以特征为具有单重态或三重态自旋态。通常，单重态激子的辐射衰变产生荧光，而三本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电器件，包括：

2.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述透光区域基本上不含导电涂层，以允许光穿过所述光电器件。

3.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述导电涂层包括镁。

4.根据权利要求3所述的光电器件，其中，所述导电涂层的厚度不大于30nm。

5.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述成核抑制涂层的特征在于对于所述导电涂层的材料具有不大于约0.3的初始粘着几率。

6.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述末端部分包含至少一个取代基，所述取代基独立地选自氘、氟、烷基、环烷基、甲硅烷基和氟烷基中的一种。...

【技术特征摘要】

1.一种光电器件，包括：

2.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述透光区域基本上不含导电涂层，以允许光穿过所述光电器件。

3.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述导电涂层包括镁。

4.根据权利要求3所述的光电器件，其中，所述导电涂层的厚度不大于30nm。

5.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述成核抑制涂层的特征在于对于所述导电涂层的材料具有不大于约0.3的初始粘着几率。

6.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述末端部分包含至少一个取代基，所述取代基独立地选自氘、氟、烷基、环烷基、甲硅烷基和氟烷基中的一种。

7.根据权利要求1所述的光电器件，进一步包括覆盖所述电极的边缘的像素定义层，其中从所述透光区域中省略所述像素定义层。

8.根据权利要求1所述的光电器件，进一步包括非发射区域，其中所述非发射区域包括辅助电极。

9.根据权利要求8所述的光电器件，其中，所述辅助电极由与所述导电涂层相同的材料组成。

10.根据权利要求8所述的光电器件，其中，所述辅助电极设置在所述亚像素区域和所述透光区域之间。

11.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述亚像素区域进一步包括与所述电极电连接的薄膜晶体管。

12.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述亚像素区域进一步包括设置在所述导电涂层和所述有机层之间的成核促进涂层。

13.一种光电器件，包括：

14.根据权利要求13所述的光电器件，其中，所述第一导电涂层的厚度不大于所述第二导电涂层的厚度。

15.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·赫兰德，Z·王，YL·常，Q·王，J·邱，
申请(专利权)人：OTI照明公司，
类型：发明
国别省市：