一种刻蚀设备制造技术

本申请提供一种刻蚀设备，包括：刻蚀腔室；隔离挡板，将所述刻蚀腔室分隔为晶圆容置腔和自清洗腔；其中所述自清洗腔内配置有：气体吹扫平台，位于所述自清洗腔顶部且与自清洗腔侧壁相连；吊顶喷头，设置于所述气体吹扫平台上；侧壁喷头，设置于所述自清洗腔的侧壁。通过在刻蚀腔室内设置具有气体吹扫平台及喷头对腔室及时进行吹扫和清理，及时、有效、便捷的解决刻蚀工艺设备内工艺副产物的附着问题，从而保证后续新工艺的进行及延长刻蚀腔室的工艺寿命，同时提升晶圆产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种刻蚀设备。

技术介绍

1、随着半导体工艺的发展，半导体芯片的面积越来越小，芯片内的半导体器件关键尺寸也不断缩小，因此半导体工艺能力受到的考验也越来越大，其中刻蚀工艺是其中之一。刻蚀工艺一般都在等离子体腔室中进行，并利用各种气体进行相应的物理轰击或者化学反应。

2、目前，越来越多的特殊气体被用于半导体工艺制程中，由于各种化学反应，不可避免的会产生很多气态的工艺副产物，这些副产物大部分会随着混合气体，通过气体管路输送至中央处理系统，但少部分会沉积于腔室内表面，形成多结构形态的壁垢；在刻蚀腔室内工艺压力变化的过程中，这些疏松的副产物壁垢会漂浮到晶圆表面，形成阻挡刻蚀的缺陷或表面颗粒缺陷，影响产品的良率。

技术实现思路

1、本技术解决的技术问题是提供一种带有自清洗功能的刻蚀设备，避免刻蚀工艺中，产生的工艺副产物附着于刻蚀腔室的内壁，进而漂浮到晶圆表面形成缺陷。

2、为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种刻蚀设备包括：刻蚀腔室；隔离挡板，将所述刻蚀腔室分隔为晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种刻蚀设备，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述气体吹扫平台与所述自清洗腔侧壁以焊接、螺接或者铆接方式连接。

3.如权利要求2所述的刻蚀设备，其特征在于，所述气体吹扫平台内设置有气体输送管路，所述气体输送管路与所述吊顶喷头连通。

4.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述吊顶喷头为多个固定喷头或多个旋转喷头或一个以上固定喷头和一个以上旋转喷头的组合。

5.如权利要求4所述的刻蚀设备，其特征在于，所述固定喷头与所述吹扫平台倾斜连接，倾斜角度为20度～70度。

6.如权利要求4所述的刻蚀设...

【技术特征摘要】

1.一种刻蚀设备，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述气体吹扫平台与所述自清洗腔侧壁以焊接、螺接或者铆接方式连接。

3.如权利要求2所述的刻蚀设备，其特征在于，所述气体吹扫平台内设置有气体输送管路，所述气体输送管路与所述吊顶喷头连通。

4.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述吊顶喷头为多个固定喷头或多个旋转喷头或一个以上固定喷头和一个以上旋转喷头的组合。

5.如权利要求4所述的刻蚀设备，其特征在于，所述固定喷头与所述吹扫平台倾斜连接，倾斜角度为20度～70度...

【专利技术属性】
技术研发人员：卫德强，
申请(专利权)人：中芯北方集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：