降低天线效应的光刻方法技术

本发明专利技术公开了一种降低天线效应的光刻方法，其用于光刻晶圆的绝缘介质层。所述光刻方法包括在所述绝缘介质层上涂光阻；进行曝光步骤以及显影步骤；所述显影步骤包括清洗所述绝缘介质层表面的清洗子步骤，在所述清洗子步骤中，晶圆的旋转速度小于等于２０００转每分钟。与现有技术相比，本发明专利技术提供晶圆的光刻方法，通过在显影步骤的清洗子步骤中减小晶圆的转速，减少了天线效应对晶圆的损害，有效提高了晶圆的良率。

Photolithography method for reducing antenna effect

The invention discloses a photolithography method for reducing an antenna effect, which is used for etching an insulating dielectric layer of a wafer. The lithographic method includes an insulating coating photoresist on the dielectric layer in the exposure step; and developing steps; the developing steps include cleaning the insulating layer on the surface of the cleaning medium sub steps, in the cleaning step, the rotational speed of the wafer is less than or equal to 2000 revolutions per minute. Compared with the prior art, the invention provides a method of lithography wafer, wafer cleaning by reducing the sub steps in the development step of speed, reduce the damage of the wafer antenna effect, effectively improves the yield of the wafer.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域的光刻制程，具体地说，涉及一种可降低天线效应 的光刻方法。
技术介绍
天线效应(Antenna Effect)是由于设计的原因，在晶圆的后段制程中，由 于金属容易积聚电荷，并沿着设计薄弱部分影响前"^制程的类似于天线的效应。 在晶圓表面的金属连线层间介质(IMD)薄膜上制作通孔(Via)的工艺中，为 了彻底去除残留显影液以及部分反应物，显影步骤包括一清洗子步骤(rinse)。 所述清洗子步骤采用去离子水(DIW)对IMD薄膜进行冲洗，由于去离子水与 IMD薄膜都是不导电的，两种不导电的物质相互摩擦会产生静电电荷。在所述清洗子步骤中，晶圆是高速旋转的，这样加大了摩擦力，从而使去 离子水和IMD薄膜之间更容易聚集电荷，并且这些电荷无法得到有效的释放。 晶圆电路图形的设计窗口边缘为设计的薄弱部分，当产生的电荷达到 一 定数量 时就会沿着这些地方串到晶圆的栅极上(天线效应)，严重的时候甚至可以破坏 到栅氧化层，破坏晶圓的电学性能。而且这种天线效应导致的破坏在晶圆接受 程度测试(WAT)中一般无法检测到，只有到了晶圓探测检测(CP)阶段才能 检测出来，导致晶圆的良率很本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低天线效应的光刻方法，其用于光刻晶圆的绝缘介质层，所述光刻方法包括：在所述绝缘介质层上涂光阻；进行曝光步骤以及显影步骤；其特征在于，所述显影步骤包括清洗所述绝缘介质层的清洗子步骤，在所述清洗子步骤中，晶圆的旋转速度小于等于２０００转每分钟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：靳颖，张凯元，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]