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本发明公开了一种降低天线效应的光刻方法，其用于光刻晶圆的绝缘介质层。所述光刻方法包括在所述绝缘介质层上涂光阻；进行曝光步骤以及显影步骤；所述显影步骤包括清洗所述绝缘介质层表面的清洗子步骤，在所述清洗子步骤中，晶圆的旋转速度小于等于２０００转...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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