【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置的制造方法和通过所述制造方法形成的半导体装置，更具体而言，涉及采用扩散工艺的半导体装置的制造方法的改进。
技术介绍
1、扩散工艺是半导体装置制造过程中的重要步骤，其一般是指将一定数量和一定种类的掺杂剂掺入到晶圆或其它晶体中以改变其电学性质，并使掺入的杂质数量和分布情况都满足要求。在很多半导体装置的制造过程中，都期望提高掺杂剂在晶圆内的扩散均一性。但现有的扩散工艺，囿于其自身的特点，会使得掺杂剂在整个晶圆内不同位置处的扩散深度彼此不同，导致产品的良率偏低。
2、针对上述问题，有必要改进涉及扩散工艺的半导体装置的制造方法，以期提高掺杂剂在晶圆内的扩散均一性，进而提高产品的良率。
技术实现思路
1、本公开提供了一种改进的半导体装置的制造方法，该制造方法能够改善掺杂剂在晶圆内的扩散均一性，有效提高产品的良率。
2、本公开的一个方面涉及一种半导体装置的制造方法，包括：在用于批量生产的晶圆上形成第一材料层；在所述第一材料层之上形成具有多个第二材料区域的第二材...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述多个第二材料区域的划分基于如下步骤确定：
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述多个第二材料区域的厚度基于如下步骤确定：
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，
5.根据权利要求4所述的制造方法，其中：
6.根据权利要求4所述的制造方法，其中，基于所述多个第一材料区域的划分确定所述多个第二材料区域的划分通过以下步骤来实现：
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，在所述第一材料层之上形成具有多个第...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述多个第二材料区域的划分基于如下步骤确定：
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述多个第二材料区域的厚度基于如下步骤确定：
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，
5.根据权利要求4所述的制造方法，其中：
6.根据权利要求4所述的制造方法，其中，基于所述多个第一材料区域的划分确定所述多个第二材料区域的划分通过以下步骤来实现：
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，在所述第一材料层之上形成具有多个第二材料区域的第二材料层包括：
8.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述多个第二材料区域的厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈景源，张乃川，石拓，
申请(专利权)人：北京一径科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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