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本公开提供了半导体装置的制造方法和半导体装置。该制造方法，包括：在用于批量生产的晶圆上形成第一材料层；在所述第一材料层之上形成具有多个第二材料区域的第二材料层，所述多个第二材料区域包括位于所述晶圆的圆心处的中心区域和围绕所述中心区域的至少一...
该专利属于北京一径科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京一径科技有限公司授权不得商用。

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