组合式MOS/MIS电容器组件制造技术

提供了一种组合式金属氧化物半导体(MOS)和金属绝缘体半导体(MIS)电容器组件。该电容器组件包括：衬底，该衬底包括半导体材料；氧化层，该氧化层形成在衬底的表面上；以及绝缘层，该绝缘层形成在氧化层的至少一部分上。该电容器组件还包括第一导电端子和第二导电端子，以及与衬底连接的第三端子。该氧化层串联连接在衬底与第一导电层之间，以在第一端子与第三端子之间形成第一电容器。绝缘层串联连接在衬底与第二导电层之间，以在第二端子与第三端子之间形成第二电容器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的主题总体上涉及组合式金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，mos)和金属绝缘体半导体(metal-insulator-semiconductor，mis)电容器。

技术介绍

1、基于半导体的电容器可以提供各种好处，例如温度稳定性、通常较高的击穿电压、以及较低的泄漏电流。因此，基于半导体的电容器可以适用于各种各样的应用，尤其是那些在承受大量机械应力和/或环境应力时需要或必须具有可靠性的应用。

2、然而，现有的基于半导体的电容器通常是表面贴装的，并且在安装到诸如印刷电路板等衬底时，会占用宝贵的表面积。例如，一些现有的基于半导体的电容器通常是“倒装芯片”安装的，并且在芯片的单个表面上具有两个端子。“倒装芯片”安装的电容器可能会在电子部件中占据增大的表面积，因为各端子通常是共面的，因此这两个端子在长度方向和宽度方向上都占据空间以耦接到诸如电路板等部件。由于需要与两个共面端子连接以形成电容器，电容器可能会占用增大的表面积，因此这种安装布置可能是不理想的。此外，现有的基于半导体的电容器可能会受到单个芯片可提供的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容器组件，包括：

2.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述绝缘层是由与所述氧化层不同的介电材料形成的。

3.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述绝缘层包括氮化物层。

4.根据权利要求3所述的电容器组件，其中，所述绝缘层包括氮化硅或氮氧化硅。

5.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述第一端子和所述第二端子各自具有X方向上的长度；进一步地，其中，所述第一端子的所述长度与所述第二端子的所述长度之比为约1∶1。

6.根据权利要求5所述的电容器组件，其中，所述第一端子和所述第二端子各自具有Y方向上的宽度，所述Y...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种电容器组件，包括：

2.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述绝缘层是由与所述氧化层不同的介电材料形成的。

3.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述绝缘层包括氮化物层。

4.根据权利要求3所述的电容器组件，其中，所述绝缘层包括氮化硅或氮氧化硅。

5.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述第一端子和所述第二端子各自具有x方向上的长度；进一步地，其中，所述第一端子的所述长度与所述第二端子的所述长度之比为约1∶1。

6.根据权利要求5所述的电容器组件，其中，所述第一端子和所述第二端子各自具有y方向上的宽度，所述y方向垂直于所述x方向；进一步地，其中，所述第一端子的所述宽度与所述第二端子的所述宽度之比为约1∶1。

7.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述第三端子在沿z方向与所述衬底的表面间隔开的位置处与所述衬底连接。

8.根据权利要求1所述的电容器组件，其中：

9.根据权利要求1所述的电容器组件，其中：

10.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述第一端子包括直接接触所述氧化层的导电材料。

11.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：科里·内尔森，
申请(专利权)人：京瓷AVX元器件公司，
类型：发明
国别省市：