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提供了一种组合式金属氧化物半导体(MOS)和金属绝缘体半导体(MIS)电容器组件。该电容器组件包括：衬底，该衬底包括半导体材料；氧化层，该氧化层形成在衬底的表面上；以及绝缘层，该绝缘层形成在氧化层的至少一部分上。该电容器组件还包括第一导电端...
该专利属于京瓷AVX元器件公司所有，仅供学习研究参考，未经过京瓷AVX元器件公司授权不得商用。

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