【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，mos)电容器提供多种优点，诸如温度稳定性、通常高击穿电压和低泄漏电流。然而，mos电容器的频率响应通常会限制它们最终应用。增加等效串联电阻(equivalent series resistance，esr)可以扩大mos电容器的应用。
技术实现思路
1、根据本公开的一个实施方案，电容器可以包括衬底，该衬底包括半导体材料。该电容器可以包括形成在衬底的表面的上方的氧化物层和形成在氧化物层的至少一部分的上方的电阻层。电容器可以包括形成在电阻层的至少一部分的上方的导电层。
2、根据本公开的另一实施方案，电容器可以包括衬底，该衬底包括半导体材料。衬底可以具有与第二表面相对的第一表面。所述电容器可以包括形成在衬底的第一表面的上方的氧化物层；形成在氧化物层的至少一部分的上方的电阻层；形成在电阻层的至少一部分的上方的第一导电层；以及形成在衬底的第二表面的至少一部分的上方的第二导电层。该电阻层可以具有小于约1
【技术保护点】
1.一种电容器，所述电容器包括：
2.根据权利要求1所述的电容器，所述电容器还包括：
3.根据权利要求2所述的电容器，所述电容器还包括：
4.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电阻层具有小于约10微米的厚度。
5.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电阻层是由氮化钽形成的。
6.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电阻层是由铬硅合物形成的。
7.根据权利要求1所述的电容器，所述电容器还包括：
8.根据权利要求7所述的电容器，其中，所述第一端子和所述第二端子中的每一者都沿所述衬底...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电容器，所述电容器包括：
2.根据权利要求1所述的电容器，所述电容器还包括：
3.根据权利要求2所述的电容器，所述电容器还包括：
4.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电阻层具有小于约10微米的厚度。
5.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电阻层是由氮化钽形成的。
6.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电阻层是由铬硅合物形成的。
7.根据权利要求1所述的电容器，所述电容器还包括：
8.根据权利要求7所述的电容器，其中，所述第一端子和所述第二端子中的每一者都沿所述衬底的所述第一表面暴露，以用于表面安装所述电容器。
9.根据权利要求7所述的电容器，其中，所述第二端子包括导电材料，所述导电材料直接接触所述衬底的所述表面。
10.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述衬底的半导体材料包括硅。
11.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述氧化物层包括硅氧化物。
12.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电阻层的面积与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗纳德·S·德姆科，科里·内尔森，玛丽安·贝罗里尼，杰夫·博格曼，
申请(专利权)人：京瓷AVX元器件公司，
类型：发明
国别省市：
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