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一种金属氧化物半导体(MOS)电容器可以包括：衬底，该衬底包括半导体材料；氧化物层，该氧化物层形成在衬底的第一表面的上方；电阻层，该电阻层形成在氧化物层的至少一部分的上方；以及导电层，该导电层形成在电阻层的至少一部分上。因此，MOS电容器可...
该专利属于京瓷AVX元器件公司所有，仅供学习研究参考，未经过京瓷AVX元器件公司授权不得商用。

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