一种生长AlN或AlGaN薄膜的方法技术

本发明专利技术提供了一种生长ＡｌＮ或ＡｌＧａＮ薄膜的方法，是在采用金属有机化学气相沉积方法常规生长ＡｌＮ或ＡｌＧａＮ时通入适量的ＴＭＩｎ作为活性剂来改善ＡｌＮ及ＡｌＧａＮ薄膜的晶体质量以及表面平整度。通常采用氢气作为载气，ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ和ＮＨ↓［３］分别作为Ｇａ源、Ａｌ源和Ｎ源，ＴＭＩｎ和其他原料一起同时通入反应室，在１０５０－１２００℃进行生长，其中ＴＭＩｎ的流量一般为４０－４００ｓｃｃｍ。通过原子力显微方法表征样品的表面粗糙度和采用Ｘ射线衍射三晶摇摆曲线半峰宽来表征样品的晶体质量，可以看出，采用本发明专利技术方法所得的ＡｌＮ和ＡｌＧａＮ样品和现有技术生长的样品相比，表面粗糙度明显下降，且晶体质量提高。

Method for growing AlN or AlGaN film

The invention provides a method for the growth of AlN or AlGaN film, is in the use of metal organic chemical vapor deposition method of conventional AlN or AlGaN growth into the amount of TMIn as active agents to improve AlN and AlGaN thin film crystal quality and surface roughness. Usually use hydrogen as carrier gas, TMGa, TMAl and NH: 3 were used as Ga source, Al source and N source, TMIn and other raw materials together through the reaction chamber, the growth in the 1050 - 1200 DEG C, the TMIn flow is generally 40 - 400sccm. The quality of the crystal surface atomic force microscopic method were characterized by X ray diffraction and roughness of crystal rocking curve FWHM to characterize the samples can be seen, compared to the growth of AlN and AlGaN samples and samples obtained by the existing technical method of the invention, the surface roughness decreased obviously, and improve the quality of crystal.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属有机化学气相沉积(MOCVD)
，特别涉及一种A1N和高Al 组分AlGaN薄膜的制备方法。
技术介绍
III族氮化物半导体三元合金AlGaN材料因为其带隙可以从3.42eV到6.2eV之间连续 可调，可以广泛应用在短波长深紫外(UV)发光、探测以及白光照明LEDs中。紫外探测技 术是继红外和激光探测技术之后发展起来的又一军民两用的光电探测技术。太阳光盲深紫 外探测器可有效探测到那些尾焰或羽焰中释放出大量紫外辐射的飞行目标，例如导弹、喷 气式飞机等。在飞行过程中，尾焰或羽焰中不可避免的会释放出大量紫外辐射，这就为导 弹、战机的探测提供了一种极其有效的手段。具体可以应用在导弹的紫外制导和紫外告警 等方面。在民用方面，紫外探测器可用于火灾及燃烧过程的监视和与生化有关的检测等。 发光波长在200-365nm之间的近紫外、紫夕卜、深紫外波段的LEDs在高密度光学数据存储、 水和空气净化与杀菌以及白光照明领域，有很大的应用前景。高质量的A1N及高Al组分 AlxGakN材料是深紫外探测器以及LEDs中的关键材料。A1N因其带隙较宽，被广泛应用 于衬底模板层，而AlGa本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生长ＡｌＮ或ＡｌＧａＮ薄膜的方法，于１０５０－１２００℃用金属有机化学气相沉积方法生长ＡｌＮ或ＡｌＧａＮ薄膜时通入三甲基铟作为活性剂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张国义，桑立雯，秦志新，杨志坚，于彤军，方浩，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]