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本发明提供了一种生长ＡｌＮ或ＡｌＧａＮ薄膜的方法，是在采用金属有机化学气相沉积方法常规生长ＡｌＮ或ＡｌＧａＮ时通入适量的ＴＭＩｎ作为活性剂来改善ＡｌＮ及ＡｌＧａＮ薄膜的晶体质量以及表面平整度。通常采用氢气作为载气，ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ和ＮＨ↓...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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