The present invention provides a method for manufacturing a metal groove, used for making top metal groove, the method comprises the following steps: 1. in the hard mask coating photoresist mask layer, plasma etching hard mask layer; plasma etching mask silicon layer 2. layer mode formed under the preset depth of metal tank; the second step etching silicon layer is divided into three steps: the 21. main etching, etching the silicon layer to form a metal tank is less than a preset depth; 22. to remove the hard mask layer on the resistance, 23. of etching, etching the silicon layer to form a metal tank to preset depth; the main etching and etching in the strength of the magnetic field of presupposition. By adopting the main etching and over etching, etching with magnetic field is divided into two steps. The metal layer on the silicon substrate groove, fringe problems can solve the traditional metal trough production methods, improve the uniformity of groove depth of metal.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆上金属槽的制作领域，尤其涉及应用于制作顶层金属槽的 金属槽制作方法。
技术介绍
在集成芯片的制作过程中，为形成制作集成芯片晶圓同层或异层上半导体 器件之间的互接或半导体芯片与芯片上焊盘的连接都需要制作金属槽，向制作 好的金属槽中填充金属实现电性导通性连接。晶圓顶层金属槽的制作，并在金 属槽中填充金属材料实现器件之间互连或与焊盘连接是目前半导体制程中至为关键的制程，尤其在目前的铜连线工艺中。当用来制作顶层金属槽(Top Metal Trench)的硅基底由氟硅玻璃(Fluorosilicate Glass: FSG )转变为非掺杂硅玻璃 (Un-doped Silicate Glass: USG ),且硅基底中间不存在中间蚀刻阻挡层。在硅 基底上制作金属槽时，硅基底上覆盖有硬掩模层，在制作金属槽时在硬掩模层 上涂敷预制图案的光阻，蚀刻硬掩模层；然后利用较长时间的主蚀刻蚀刻硬掩 模层窗口下的硅基底层，形成预设深度的金属槽。主蚀刻速率较快，且主蚀刻 的时间较长。由于目前釆用等离子体进行主蚀刻时采用的蚀刻介质在较长时间 的蚀刻情况下容易损伤硬掩模层窗口...
【技术保护点】
一种金属槽的制作方法，用于制作顶层金属槽，所述顶层金属槽制作在硅基底层上，所述硅基底上覆盖有一层硬掩模层，所述金属槽的制作包括以下步骤：ａ、在所述硬掩模层上涂敷光阻，等离子体蚀刻硬掩模层；ｂ、等离子体蚀刻所述硬掩模层下的硅基底层形成所述预设深度的金属槽；其特征在于，步骤ｂ中蚀刻硅基底层分三个步骤进行：ｂ１、进行主蚀刻，蚀刻硅基底层形成小于预设深度的金属槽；ｂ２、去除所述硬掩模层上光阻；ｂ３、进行过蚀刻，进一步蚀刻硅基底层形成预设深度的金属槽；所述主蚀刻和过蚀刻均在预设强度的磁场中进行。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邹晓东，周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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