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本发明提供一种金属槽的制作方法，用于制作顶层金属槽，该方法包括以下步骤：１．在硬掩模层上涂敷光阻，等离子体蚀刻硬掩模层；２．等离子体蚀刻掩模层下的硅基底层形成预设深度金属槽；其中，步骤２中蚀刻硅基底层分三步进行：２１．进行主蚀刻，蚀刻硅基底...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种金属槽的制作方法，用于制作顶层金属槽，该方法包括以下步骤：１．在硬掩模层上涂敷光阻，等离子体蚀刻硬掩模层；２．等离子体蚀刻掩模层下的硅基底层形成预设深度金属槽；其中，步骤２中蚀刻硅基底层分三步进行：２１．进行主蚀刻，蚀刻硅基底...