A method for the top seed temperature gradient method for growing large-size high-temperature oxide crystal, crystal growth relates to new technology, the kyropoulos method (CZ), Czochralski method, heat exchange method (HEM), Wen Tifa (TGT) and Bridgman method together, create an adjustable temperature gradient and temperature field center the special high temperature vacuum furnace by crystal furnace, high vacuum, heating material, washing the seed, real-time temperature regulation, Czochralski seeding, multiple necking process \,\ shoulder Czochralski process \and\ equal diameter kyropoulos method technology, HEM heat exchange combined with TGT diameter growth (diameter control technology for CZ weighing) and CZ method and crucible, finishing & annealing, production of large size and high temperature oxide crystals, also suitable for the high vacuum environment and protect the environment atmosphere. The utility model has the advantages that a plurality of high-quality high-temperature oxide crystal material products are manufactured with the lowest energy consumption and the lowest cost.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长新工艺，具体是一种用于顶部籽晶温度梯度法(TSTGT)生长 大尺寸高温氧化物晶体的方法。
技术介绍
随着光通讯、激光工业和LED产业的发展、需要的各种光功能晶体材料的质量和 尺寸越来越大。目前生长大尺寸高质量的光功能晶体尤其是高温氧化物晶体目前主要是泡 生法、提拉法(CZ)、热交换法(HEM)、温梯法(TGT)和坩埚下降法；以上方法都或多或少存在 一定的局限性、不能很好的实现高温氧化物晶体的工业化生产。
技术实现思路
本专利技术所解决的技术问题在于提供一种能够解决高温氧化物晶体工业化批量生 产的质量问题和质量稳定性问题的顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方 法。 本专利技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现 —种，其特征在于包括 提拉结构，在所述的提拉结构下与炉盖和炉膛相连，所述的炉膛中设置有法兰座、金属发热 体、保温罩和坩埚，在所述的法兰座下固定环状组合保温层，所述的坩埚下设置坩埚托和坩 埚托杆用于支撑坩埚，所述坩埚托杆外包裹下保温罩。 所述的炉盖包括小炉盖、大炉盖和下炉盖，大炉盖和下炉盖固定在炉膛的上下面， 构成了生长的空腔...
【技术保护点】
一种顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，其特征在于：包括提拉结构，在所述的提拉结构下与炉盖和炉膛相连，所述的炉膛中设置有法兰座、金属发热体、保温罩和坩埚，在所述的法兰座下固定环状组合保温层，所述的坩埚下设置坩埚托和坩埚托杆用于支撑坩埚，所述坩埚托杆外包裹下保温罩。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄小卫，
申请(专利权)人：上海元亮光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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